- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录384485 > IPS032G (International Rectifier) SINGLE/DUAL FULLY PROTECTED POWER MOSFET SWITCH PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IPS032G |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | SINGLE/DUAL FULLY PROTECTED POWER MOSFET SWITCH |
| 中文描述： | 单/双充分保护功率MOSFET开关 |
| 文件页数： | 9/11页 |
| 文件大小： | 138K |
| 代理商： | IPS032G |
IPS031G/IPS032G
www.irf.com
9
Figure 16a - Transient Thermal Imped. (
o
C/W)
Vs Time (s) - IPS031G
0.01
0.1
1
10
100
rth SO8 std footprint
Single pulse
Figure 16b - Transient Thermal Imped. (
o
C/W)
Vs Time (s) - IPS032G
0.01
0.1
1
10
100
rth SO16 std footprint 1
mosfet active
rth SO16 std footprint 2
mosfets active
Single pulse
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
Iin,on
Iin,off
Figure 17 - Input current (
μ
A) Vs Tj (
o
C)
80%
85%
90%
95%
100%
105%
110%
115%
120%
-50 -25
0
25
50
75
100 125 150
Vds clamp @ Isd
Vin clamp @ 10mA
Figure 18 - Vin clamp and V clamp2 (%)
Vs Tj (
o
C)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IPS031S | FULLY PROTECTED POWER MOSFET SWITCH |
| IPS031 | FULLY PROTECTED POWER MOSFET SWITCH |
| IPS03N03LA | Ideal for high-frequency dc/dc converters Qualified according to JEDEC for target applications |
| IPS042G | DUAL FULLY PROTECTED POWER MOSFET SWITCH |
| IPS05N03LA | RESISTOR CER 7.5K OHM 5W RADIAL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IPS03N03LA | 制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:Ideal for high-frequency dc/dc converters Qualified according to JEDEC for target applications |
| IPS03N03LA G | 功能描述:MOSFET N-CH 25V 90A IPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IPS03N03LAG | 功能描述:MOSFET N-KANAL POWER MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IPS03N03LAGXK | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 25V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-251 |
| IPS03N03LB G | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 90A IPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。