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参数资料
| 型号： | IPS042G |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | DUAL FULLY PROTECTED POWER MOSFET SWITCH |
| 中文描述： | 双充分保护功率MOSFET开关 |
| 文件页数： | 10/10页 |
| 文件大小： | 92K |
| 代理商： | IPS042G |
IPS042G
10
www.irf.com
IR WORLD HEADQUARTERS:
233 Kansas St., El Segundo, California 90245 Tel: (310) 252-7105
Data and specifications subject to change without notice. 6/11/2001
01-6027
01-0021 11
(MS-012AA)
8-Lead SOIC
8
7
5
6
5
D
B
E
A
e
6X
H
0.25 [.010]
A
6
4
3
1
2
4. OUTLINE CONFORMS TO J EDEC OUTLINE MS-012AA.
NOTES:
1. DIMENSIONING & TOLERANCING PER ASME Y14.5M-1994.
2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER
3. DIMENSIONS ARE SHOWN IN MILLIMETERS [INCHES].
7
K x 45
°
8X L
8X c
y
FOOTPRINT
8X 0.72 [.028]
6.46 [.255]
3X 1.27 [.050]
8X 1.78 [.070]
5 DIMENSION DOES NOT INCLUDE MOLD PROTRUSIONS.
MOLD PROTRUSIONS NOT TO EXCEED 0.15 [.006].
6 DIMENSION DOES NOT INCLUDE MOLD PROTRUSIONS.
MOLD PROTRUSIONS NOT TO EXCEED 0.25 [.010].
7 DIMENSION IS THE LENGTH OF LEAD FOR SOLDERING TO
A SUBSTRATE.
0.25 [.010]
C A B
e1
A
A1
8X b
C
0.10 [.004]
e 1
H
K
L
D
E
e
y
b
c
A
A1
.189
.1497
.050 BASIC
.025 BASIC
0
°
.013
.0075
.0532
.0040
.2284
.0099
.016
.1968
.1574
8
°
.020
.0098
.0688
.0098
.2440
.0196
.050
4.80
3.80
1.27 BASIC
0.635 BASIC
0.33
0.19
1.35
0.10
5.80
0.25
0.40
0
°
5.00
4.00
0.51
0.25
1.75
0.25
6.20
0.50
1.27
8
°
MIN
MAX
MILLIMETERS
MIN
INCHES
MAX
DIM
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IPS05N03LA | RESISTOR CER 7.5K OHM 5W RADIAL |
| IPF05N03LA | OptiMOS 2 Power-Transistor |
| IPD05N03LA | OptiMOS 2 Power-Transistor |
| IPD05N03LB | OptiMOS2 Power-Transistor |
| IPS511G | FULLY PROTECTED HIGH SIDE POWER MOSFET SWITCH |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| IPS04N03LA | 制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
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| IPS04N03LAG | 功能描述:MOSFET N-KANAL POWER MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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