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参数资料
| 型号： | IPS042G |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | DUAL FULLY PROTECTED POWER MOSFET SWITCH |
| 中文描述： | 双充分保护功率MOSFET开关 |
| 文件页数： | 4/10页 |
| 文件大小： | 92K |
| 代理商： | IPS042G |
IPS042G
4
www.irf.com
Lead Assignments
8 Lead SOIC
1
S1 In1 S2 In2
D1 D1 D2 D2
Functional Block Diagram
All values are typical
IN
DRAIN
SOURCE
8.1 V
80
μ
A
47 V
I sense
200 k
4000
S
R
Q
Q
T > 165°c
I > 1sd
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IPS05N03LA | RESISTOR CER 7.5K OHM 5W RADIAL |
| IPF05N03LA | OptiMOS 2 Power-Transistor |
| IPD05N03LA | OptiMOS 2 Power-Transistor |
| IPD05N03LB | OptiMOS2 Power-Transistor |
| IPS511G | FULLY PROTECTED HIGH SIDE POWER MOSFET SWITCH |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IPS042GPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET SMART SWITCH SO-8 |
| IPS042GTR | 功能描述:功率驱动器IC Dual PWR FET Swich 500mOhm 50V 2A RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IPS04N03LA | 制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| IPS04N03LA G | 功能描述:MOSFET N-CH 25V 50A IPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IPS04N03LAG | 功能描述:MOSFET N-KANAL POWER MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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