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参数资料
| 型号： | IPS042G |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | DUAL FULLY PROTECTED POWER MOSFET SWITCH |
| 中文描述： | 双充分保护功率MOSFET开关 |
| 文件页数： | 6/10页 |
| 文件大小： | 92K |
| 代理商： | IPS042G |
IPS042G
6
www.irf.com
Figure 6 - Normalised Rds ON (%) Vs Tj (
o
C)
Figure 5 - Rds ON (m
) Vs Input Voltage (V)
All curves are typical values with standard footprints. Operating in the shaded area is not recommended.
Figure 8 - Turn-OFF Delay Time & Fall Time (us)
Vs Input Voltage (V)
Figure 7 - Turn-ON Delay Time, Rise Time & Time
to 130% final Rds(on) (us) Vs Input Voltage (V)
0
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ton delay
rise time
130% rdson
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toff delay
fall time
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Tj = 150
o
C
Tj = 25
o
C
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-50 -25
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75 100 125 150 175
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| IPS05N03LA | RESISTOR CER 7.5K OHM 5W RADIAL |
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| IPD05N03LB | OptiMOS2 Power-Transistor |
| IPS511G | FULLY PROTECTED HIGH SIDE POWER MOSFET SWITCH |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IPS04N03LA | 制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
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| IPS04N03LAG | 功能描述:MOSFET N-KANAL POWER MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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