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参数资料
| 型号： | IR11662SPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 14/26页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC CNTROL SMART RECTIFIER 8-SOIC |
| 标准包装： | 95 |
| 系列： | Advanced Smart Rectifier™ |
| 配置： | 高端 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 60ns |
| 电流 - 峰： | 1A |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 1 |
| 电源电压： | 11.4 V ~ 18 V |
| 工作温度： | -25°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC |
| 包装： | 管件 |
IR11662S
I PRIM
V PRIM
T1
T2
T3
time
I SEC
V SEC
time
Figure 2: Primary and secondary currents and voltages for DCM mode
I PRIM
V PRIM
T1
T2
time
I SEC
V SEC
time
Figure 3: Primary and secondary currents and voltages for CrCM mode
CCM Turn-off phase
In CCM mode the turn off transition is much steeper and dI/dt involved is much higher. The turn on phase is identical to DCM
or CrCM and therefore won’t be repeated here.
During the SR FET conduction phase the current will decay linearly, and so will V DS on the SR FET.
Once the primary switch will start to turn back on, the SR FET current will rapidly decrease crossing V TH1 and turning the gate
off. The turn off speed is critical to avoid cross conduction on the primary side and reduce switching losses.
Also in this case a blanking period will be applied, but given the very fast nature of this transition, it will be reset as soon as
V DS crosses V TH3 .
14
www.irf.com
? 2013 International Rectifier
Nov 6, 2013
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IR1166STRPBF | IC MOSFET DRIVER N-CH 200V 8SOIC |
| IR11672ASPBF | IC MOSFET DRIVER 200V 8-SOIC |
| IR1167ASTRPBF | IC SMART SECONDARY DRIVER 8-SOIC |
| IR11682STRPBF | IC MOSFET DRIVER DUAL 200V 8SOIC |
| IR1168SPBF | IC MOSFET DRIVER DUAL 200V 8SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IR11662STRPBF | 功能描述:开关变换器、稳压器与控制器 FLYBACK SYNCH REC IC +1,-3.5A RoHS:否 制造商:Texas Instruments 输出电压:1.2 V to 10 V 输出电流:300 mA 输出功率: 输入电压:3 V to 17 V 开关频率:1 MHz 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:WSON-8 封装:Reel |
| IR1166SPBF | 功能描述:IC REG CTLR SW 200V 8-SOIC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:SmartRectifier™ 标准包装:50 系列:- 配置:高端 输入类型:非反相 延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供应商设备封装:8-DIP 包装:管件 其它名称:*IR2127 |
| IR1166SPBF_09 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:SmartRectifier CONTROL IC Secondary side high speed SR controller |
| IR1166STRPBF | 功能描述:开关变换器、稳压器与控制器 FLYBACK SYNCH REC IC +1,-3.5A RoHS:否 制造商:Texas Instruments 输出电压:1.2 V to 10 V 输出电流:300 mA 输出功率: 输入电压:3 V to 17 V 开关频率:1 MHz 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:WSON-8 封装:Reel |
| IR11671ASPBF | 功能描述:功率驱动器IC ADV Smart REC 200V 10.7 Vout 60ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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