参数资料
型号: IR11662SPBF
厂商: International Rectifier
文件页数: 6/26页
文件大小: 0K
描述: IC CNTROL SMART RECTIFIER 8-SOIC
标准包装: 95
系列: Advanced Smart Rectifier™
配置: 高端
输入类型: 非反相
延迟时间: 60ns
电流 - 峰: 1A
配置数: 1
输出数: 1
电源电压: 11.4 V ~ 18 V
工作温度: -25°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SOIC
包装: 管件
IR11662S
Electrical Characteristics
V CC =15 V and T A = 25 °C unless otherwise specified. The output voltage and current (V O and I O ) parameters are
referenced to GND (pin7).
Supply Section
Parameters
Supply Voltage Operating
Range
V CC Turn On Threshold
V CC Turn Off Threshold
(Under Voltage Lock Out)
Symbol
V CC
V CC ON
V CC UVLO
Min.
11.4
9.8
8.4
Typ.
10.55
9
Max.
18
11.3
9.7
Units
V
GBD
Remarks
V CC Turn On/Off Hysteresis
V CC HYST
1.55
Operating Current
Quiescent Current
Start-up Current
Sleep Current
I CC
I QCC
I CC START
I SLEEP
8.5
50
1.8
100
150
10
65
2.2
200
200
mA
μA
C LOAD = 1nF, f SW = 400kHz
C LOAD = 10nF, f SW = 400kHz
V CC =V CC ON - 0.1V
V EN =0V, V CC =15V
Enable Voltage High
Enable Voltage Low
Enable Pull-up Resistance
V ENHI
V ENLO
R EN
2.15
1.2
2.70
1.6
1.5
3.2
2.0
V
M ?
GBD
Comparator Section
Parameters
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Units
Remarks
-7
-3.5
0
OVT = 0V, V S =0V
Turn-off Threshold
Turn-on Threshold
V TH1
V TH2
-15
-23
-150
-10.5
-19
-7
-15
-50
mV
OVT floating, V S =0V
OVT = VCC, V S =0V
Hysteresis
V HYST
55
Input Bias Current
Input Bias Current
Comparator Input Offset
Input CM Voltage Range
I IBIAS1
I IBIAS2
V OFFSET
V CM
-0.15
1
30
7.5
100
2
2
μA
mV
V
V D = -50mV
V D = 200V
GBD
One-Shot Section
Parameters
Blanking pulse duration
Reset Threshold
Hysteresis
Symbol
t BLANK
V TH3
V HYST3
Min.
8
Typ.
15
2.5
5.4
40
Max.
24
Units
μs
V
mV
Remarks
V CC =10V – GBD
V CC =20V – GBD
V CC =10V – GBD
Minimum On Time Section
Parameters
Minimum on time
Symbol
T Onmin
Min.
180
2.25
Typ.
240
3
Max.
300
3.75
Units
ns
μs
Remarks
R MOT =5k?, V CC =12V
R MOT =75k?, V CC =12V
6
www.irf.com
? 2013 International Rectifier
Nov 6, 2013
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