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参数资料
| 型号： | IR11662SPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 7/26页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC CNTROL SMART RECTIFIER 8-SOIC |
| 标准包装： | 95 |
| 系列： | Advanced Smart Rectifier™ |
| 配置： | 高端 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 60ns |
| 电流 - 峰： | 1A |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 1 |
| 电源电压： | 11.4 V ~ 18 V |
| 工作温度： | -25°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC |
| 包装： | 管件 |
IR11662S
Electrical Characteristics
V CC =15 V and T A = 25 °C unless otherwise specified. The output voltage and current (V O and I O ) parameters are
referenced to GND (pin7).
Gate Driver Section
Parameters
Gate Low Voltage
Gate High Voltage
Symbol
V GLO
V GTH
Min.
9.0
Typ.
0.3
10.7
Max.
0.5
12.5
Units
V
Remarks
I GATE = 200mA
V CC =12V-18V (internally clamped)
Rise Time
t r1
t r2
21
181
C LOAD = 1nF, V CC =12V
C LOAD = 10nF, V CC =12V
Fall Time
Turn on Propagation Delay
Turn off Propagation Delay
Pull up Resistance
Pull down Resistance
Output Peak Current (source)
Output Peak Current (sink)
t f1
t f2
t Don
t Doff
r up
r down
I O source
I O sink
10
44
60
50
5
1.2
1
4
95
75
ns
?
A
C LOAD = 1nF, V CC =12V
C LOAD = 10nF, V CC =12V
V DS to V GATE -100mV overdrive
V DS to V GATE -100mV overdrive
I GATE = 1A – GBD
I GATE = -200mA
C LOAD = 10nF – GBD
7
www.irf.com
? 2013 International Rectifier
Nov 6, 2013
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IR1166STRPBF | IC MOSFET DRIVER N-CH 200V 8SOIC |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IR1166STRPBF | 功能描述:开关变换器、稳压器与控制器 FLYBACK SYNCH REC IC +1,-3.5A RoHS:否 制造商:Texas Instruments 输出电压:1.2 V to 10 V 输出电流:300 mA 输出功率: 输入电压:3 V to 17 V 开关频率:1 MHz 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:WSON-8 封装:Reel |
| IR11671ASPBF | 功能描述:功率驱动器IC ADV Smart REC 200V 10.7 Vout 60ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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