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参数资料
| 型号： | IR11672ASPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 6/26页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MOSFET DRIVER 200V 8-SOIC |
| 标准包装： | 95 |
| 系列： | Advanced Smart Rectifier™ |
| 配置： | 半桥 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 60ns |
| 电流 - 峰： | 2A |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 2 |
| 电源电压： | 11.4 V ~ 18 V |
| 工作温度： | -25°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC |
| 包装： | 管件 |
IR11672AS
Electrical Characteristics
V CC =15 V and T A = 25 °C unless otherwise specified. The output voltage and current (V O and I O ) parameters are
referenced to GND (pin7).
Supply Section
Parameters
Supply Voltage Operating
Range
V CC Turn On Threshold
V CC Turn Off Threshold
(Under Voltage Lock Out)
Symbol
V CC
V CC ON
V CC UVLO
Min.
11.4
9.8
8.4
Typ.
10.55
9
Max.
18
11.3
9.7
Units
V
GBD
Remarks
V CC Turn On/Off Hysteresis
V CC HYST
1.55
Operating Current
Quiescent Current
Start-up Current
Sleep Current
I CC
I QCC
I CC START
I SLEEP
8.5
50
1.8
100
150
10
65
2.2
200
200
mA
μA
C LOAD =1nF,f SW =400kHz
C LOAD =10nF,f SW =400kHz
V CC =V CC ON - 0.1V
V EN =0V, V CC =15V
Enable Voltage High
Enable Voltage Low
Enable Pull-up Resistance
V ENHI
V ENLO
R EN
2.15
1.2
2.70
1.6
1.5
3.2
2.0
V
M ?
GBD
Comparator Section
Parameters
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Units
Remarks
-7
-3.5
0
OVT = 0V, V S =0V
Turn-off Threshold
Turn-on Threshold
V TH1
V TH2
-14
-22
-150
-9.5
-18
-6
-14
-50
mV
OVT floating, V S =0V
OVT = VCC, V S =0V
Hysteresis
V HYST
55
Input Bias Current
Comparator Input Offset
Input CM Voltage Range
I IBIAS1
I IBIAS2
V OFFSET
V CM
-0.15
1
30
7.5
100
2
2
μA
mV
V
V D = -50mV
V D = 200V
GBD
One-Shot Section
Parameters
Blanking pulse duration
Reset Threshold
Hysteresis
Symbol
t BLANK
V TH3
V HYST3
Min.
9
Typ.
17
2.5
5.4
40
Max.
25
Units
μs
V
mV
Remarks
V CC =10V – GBD
V CC =20V – GBD
V CC =10V – GBD
6
www.irf.com
? 2013 International Rectifier
Nov 6, 2013
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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