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参数资料
| 型号： | IR11672ASPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 7/26页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MOSFET DRIVER 200V 8-SOIC |
| 标准包装： | 95 |
| 系列： | Advanced Smart Rectifier™ |
| 配置： | 半桥 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 60ns |
| 电流 - 峰： | 2A |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 2 |
| 电源电压： | 11.4 V ~ 18 V |
| 工作温度： | -25°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC |
| 包装： | 管件 |
IR11672AS
Electrical Characteristics
V CC =15 V and T A = 25 °C unless otherwise specified. The output voltage and current (V O and I O ) parameters are
referenced to GND (pin7).
Minimum On Time Section
Parameters
Minimum on time
Symbol
T ONmin
Min.
190
2.48
Typ.
240
3.1
Max.
290
3.72
Units
ns
μs
Remarks
R MOT =5k ??? V CC =12V
R MOT =75k ??? V CC =12V
Gate Driver Section
Parameters
Gate Low Voltage
Gate High Voltage
Symbol
V GLO
V GTH
Min.
9.0
Typ.
0.3
10.7
Max.
0.5
12.5
Units
V
Remarks
I GATE = 200mA
V CC =12V-18V
(internally clamped)
Rise Time
t r1
t r2
18
125
C LOAD = 1nF, V CC =12V
C LOAD = 10nF, V CC =12V
Fall Time
Turn on Propagation Delay
Turn off Propagation Delay
Pull up Resistance
Pull down Resistance
Output Peak Current(source)
Output Peak Current (sink)
t f1
t f2
t Don
t Doff
r up
r down
I O source
I O sink
10
30
60
50
4
0.7
2
7
95
75
ns
??
A
C LOAD = 1nF, V CC =12V
C LOAD = 10nF, V CC =12V
V DS to V GATE -100mV overdrive
V DS to V GATE -100mV overdrive
I GATE = 1A – GBD
I GATE = -200mA
C LOAD = 10nF – GBD
7
www.irf.com
? 2013 International Rectifier
Nov 6, 2013
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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