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参数资料
| 型号： | IR2010STRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 1/17页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 16-SOIC |
| 标准包装： | 1,000 |
| 配置： | 高端和低端，独立 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 95ns |
| 电流 - 峰： | 3A |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 2 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 200V |
| 电源电压： | 10 V ~ 20 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 16-SOIC |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Data Sheet No. PD60195-E
IR2010 (S)(TR) & (PbF)
·
·
Features
· Floating channel designed for bootstrap operation
Fully operational to 200V
Tolerant to negative transient voltage, dV/dt immune
Gate drive supply range from 10 to 20V
· Undervoltage lockout for both channels
· 3.3V logic compatible
Separate logic supply range from 3.3V to 20V
Logic and power ground ±5V offset
· CMOS Schmitt-triggered inputs with pull-down
· Shut down input turns off both channels
· Matched propagation delay for both channels
· Outputs in phase with inputs
· Also available LEAD-FREE
Applications
· Audio Class D amplifiers
High power DC-DC SMPS converters
· Other high frequency applications
HIGH AND LOW SIDE DRIVER
Product Summary
V OFFSET 200V max.
I O +/- 3.0A / 3.0A typ.
V OUT 10 - 20V
t on/off 95 & 65 ns typ.
Delay Matching 15 ns max.
Packages
Description
The IR2010 is a high power, high voltage, high speed power MOSFET and IGBT
drivers with independent high and low side referenced output channels, ideal for
Audio Class D and DC-DC converter applications. Logic inputs are compatible with
standard CMOS or LSTTL output, down to 3.0V logic. The output drivers feature a high
pulse current buffer stage designed for minimum driver cross-conduction. Propaga-
tion delays are matched to simplify use in high frequency applications. The floating
channel can be used to drive an N-channel power MOSFET or IGBT in the high side
configuration which operates up to 200 volts. Proprietary HVIC and latch immune
CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction.
Typical Connection
HO
14-Lead PDIP
16-Lead SOIC
200V
V DD
V DD
V B
HIN
HIN
V S
TO
SD
LIN
V SS
V CC
SD
LIN
V SS
V CC
COM
LO
LOAD
(Refer to Lead Assignments for correct configuration). This/These diagram(s) show electrical connections
only. Please refer to our Application Notes and DesignTips for proper circuit board layout.
www.irf.com
1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 3250W-1-503 | TRIMMER 50K OHM 1W TH |
| 3292X-1-501LF | TRIMMER 500 OHM 0.5W TH |
| RPM40-120515TG | CONV DC/DC 40W 9-18VIN 05/+/-15V |
| IRS21091SPBF | IC HALF BRIDGE DRIVER 8-SOIC |
| 3252X-1-105 | TRIMMER 1M OHM 0.75W TH |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IR2011 | 功能描述:HI/LO SIDE DRVR 8-DIP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端 输入类型:非反相 延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供应商设备封装:8-DIP 包装:管件 其它名称:*IR2127 |
| IR2011PBF | 功能描述:功率驱动器IC Hi&Lw Sd Drvr RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IR2011PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:DRIVER, HALF BRIDGE, 200V, 8DIP 制造商:International Rectifier 功能描述:DRIVER, HALF BRIDGE, 200V, 8DIP; Device Type:MOSFET; Module Configuration:High Side, Low Side; Peak Output Current:1A; Supply Voltage Min:10V; Supply Voltage Max:20V; Driver Case Style:DIP; No. of Pins:8; Input Delay:80ns; Output ;RoHS Compliant: Yes |
| IR2011S | 功能描述:HI/LO SIDE DRVR 8SOIC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端 输入类型:非反相 延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供应商设备封装:8-DIP 包装:管件 其它名称:*IR2127 |
| IR2011SPBF | 功能描述:功率驱动器IC HI LO SIDE DRVR 200V 1.0A 80ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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