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参数资料
| 型号： | IR2010STRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 12/17页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 16-SOIC |
| 标准包装： | 1,000 |
| 配置： | 高端和低端，独立 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 95ns |
| 电流 - 峰： | 3A |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 2 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 200V |
| 电源电压： | 10 V ~ 20 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 16-SOIC |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IR2010( S )(TR) & (PbF)
11.0
10.0
9.0
Max.
5.0
4.0
3.0
typ
8.0
7.0
6.0
Typ.
Min.
2.0
1.0
0.0
min
-50
-25
0
25
50
75
100
125
-50
-25
0
25
50
75
100
125
Temperature (°C)
Figure 25. V CC Undervoltage (-) vs. Temperature
5.0
4.0
Temperature (C)
Figure 26A. Output Source Current vs. Temperature
5.0
4.0
typ
3.0
typ
3.0
2.0
1.0
0.0
min
2.0
1.0
0.0
min
10
12
14
16
18
20
-50
-25
0
25
50
75
100
125
Vbias Supply Voltage (V)
26B. 26B: BIAS
Figure Figure Output Source Current vs. Voltage Voltage
5.0
Temperature (C)
Figure 27A. Output Sink Current vs. Temperature
200V
150.00
4.0
125.00
100.00
100V
3.0
2.0
1.0
typ
min
75.00
50.00
25.00
10V
0.00
0.0
1.E+03
1.E+04 1.E+05
1.E+06
10
12
14
16
18
20
Frequency (Hz)
Vbias Supply Voltage (V)
Figure 27B. Output Sink Current vs. V BIAS Voltage
12
Figure 28. IR2010 Tj vs Frequency
R GATE = 10 Ohm, Vcc = 15V with IRFPE50
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 3250W-1-503 | TRIMMER 50K OHM 1W TH |
| 3292X-1-501LF | TRIMMER 500 OHM 0.5W TH |
| RPM40-120515TG | CONV DC/DC 40W 9-18VIN 05/+/-15V |
| IRS21091SPBF | IC HALF BRIDGE DRIVER 8-SOIC |
| 3252X-1-105 | TRIMMER 1M OHM 0.75W TH |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IR2011 | 功能描述:HI/LO SIDE DRVR 8-DIP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端 输入类型:非反相 延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供应商设备封装:8-DIP 包装:管件 其它名称:*IR2127 |
| IR2011PBF | 功能描述:功率驱动器IC Hi&Lw Sd Drvr RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IR2011PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:DRIVER, HALF BRIDGE, 200V, 8DIP 制造商:International Rectifier 功能描述:DRIVER, HALF BRIDGE, 200V, 8DIP; Device Type:MOSFET; Module Configuration:High Side, Low Side; Peak Output Current:1A; Supply Voltage Min:10V; Supply Voltage Max:20V; Driver Case Style:DIP; No. of Pins:8; Input Delay:80ns; Output ;RoHS Compliant: Yes |
| IR2011S | 功能描述:HI/LO SIDE DRVR 8SOIC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端 输入类型:非反相 延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供应商设备封装:8-DIP 包装:管件 其它名称:*IR2127 |
| IR2011SPBF | 功能描述:功率驱动器IC HI LO SIDE DRVR 200V 1.0A 80ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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