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参数资料
| 型号： | IR2010STRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 3/17页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 16-SOIC |
| 标准包装： | 1,000 |
| 配置： | 高端和低端，独立 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 95ns |
| 电流 - 峰： | 3A |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 2 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 200V |
| 电源电压： | 10 V ~ 20 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 16-SOIC |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IR2010( S )(TR) & (PbF)
Dynamic Electrical Characteristics
V BIAS (V CC , V BS , V DD ) = 15V, C L = 1000 pF, T A = 25°C and V SS = COM unless otherwise specified. The dynamic
electrical characteristics are measured using the test circuit shown in Figure 3.
Symbol
Definition
Figure Min. Typ. Max. Units Test Conditions
t on
t off
Turn-on propagation delay
Turn-off propagation delay
7
8
50
30
95
65
135
105
V S = 0V
V S = 200V
t sd
t r
t f
MT
Shutdown propagation delay
Turn-on rise time
Turn-off fall time
Delay matching, HS & LS turn-on/off
9
10
11
6
35
?
?
?
70
10
15
?
105
20
25
15
ns
V S = 200V
Static Electrical Characteristics
V BIAS (V CC , V BS , V DD ) = 15V, T A = 25°C and V SS = COM unless otherwise specified. The V IN , V TH and I IN parameters
are referenced to V SS and are applicable to all three logic input leads: HIN, LIN and SD. The V O and I O parameters are
referenced to COM and are applicable to the respective output leads: HO or LO.
Symbol
Definition
Figure Min. Typ. Max. Units Test Conditions
V IH
V I L
Logic ?1? input voltage
Logic ?0? input voltage
12
13
9.5
?
?
?
?
6.0
V DD = 15V
V IH
V I L
V OH
V OL
I LK
I QBS
I QCC
I QDD
I IN+
I IN-
V BSUV+
V BSUV-
V CCUV+
V CCUV-
I O+
I O-
Logic ?1? input voltage
Logic ?0? input voltage
High level output voltage, V BIAS - V O
Low level output voltage, V O
Offset supply leakage current
Quiescent V BS supply current
Quiescent V CC supply current
Quiescent V DD supply current
Logic ?1? input bias current
Logic ?0? input bias current
V BS supply undervoltage positive going
threshold
V BS supply undervoltage negative going
threshold
V CC supply undervoltage positive going
threshold
V CC supply undervoltage negative going
threshold
Output high short circuit pulsed current
Output low short circuit pulsed current
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
2
?
?
?
?
?
?
?
?
?
7.5
7.0
7.5
7.0
2.5
2.5
?
?
?
?
?
70
100
1
20
?
8.6
8.2
8.6
8.2
3.0
3.0
?
1
1.0
0.1
50
210
230
5
40
1.0
9.7
9.4
9.7
9.4
?
?
V
μA
V
A
V DD = 3.3V
I O = 0A
I O = 0A
V B =V S = 200V
V IN = 0V or V DD
V IN = 0V or V DD
V IN = 0V or V DD
V IN = V DD
V IN = 0V
V O = 0V, V IN = V DD
PW ￡ 10 μs
V O = 15V, V IN = 0V
PW ￡ 10 μs
www.irf.com
3
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| IR2011S | 功能描述:HI/LO SIDE DRVR 8SOIC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端 输入类型:非反相 延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供应商设备封装:8-DIP 包装:管件 其它名称:*IR2127 |
| IR2011SPBF | 功能描述:功率驱动器IC HI LO SIDE DRVR 200V 1.0A 80ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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