参数资料
型号: IR2011S
厂商: International Rectifier
文件页数: 10/17页
文件大小: 0K
描述: HI/LO SIDE DRVR 8SOIC
标准包装: 95
配置: 高端和低端,独立
输入类型: 非反相
延迟时间: 80ns
电流 - 峰: 1A
配置数: 1
输出数: 2
高端电压 - 最大(自引导启动): 200V
电源电压: 10 V ~ 20 V
工作温度: -40°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SOICN
包装: 管件
其它名称: *IR2011S
IR2011(S) & (PbF)
5
4
3
2
1
0
Max.
5
4
3
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Max.
-50
-25
0
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75
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125
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12
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20
Temperature ( C)
o
Figure 10A. High Level Output vs.Temperature
0.5
0.4
0.3
0.2
Supply Voltage (V)
Figure 10B. High Level Output vs. Supply Voltage
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
Max.
0.1
0.0
Max.
-50
-25
0
25
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75
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125
10
12
14
16
18
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Temperature ( C)
10
o
Figure 11A. Low Level Output vs. Temperature
Supply Voltage (V)
Figure 11B. Low Level Output vs. Supply Voltage
www.irf.com
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PDF描述
VI-J3P-CW-F3 CONVERTER MOD DC/DC 13.8V 100W
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EBT156-12R2X CONN EDGEBOARD SINGLE 12POS 5A
MCP14E3-E/SL IC MOSFET DVR 4.0A DUAL 8SOIC
TOOLSTICK342MPP ADAPTER TOOLSTICK FOR C8051F34X
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参数描述
IR2011SPBF 功能描述:功率驱动器IC HI LO SIDE DRVR 200V 1.0A 80ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IR2011STR 功能描述:HI/LO SIDE DRVR 8SOIC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端 输入类型:非反相 延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP(0.300",7.62mm) 供应商设备封装:8-DIP 包装:管件 其它名称:*IR2127
IR2011STRPBF 功能描述:功率驱动器IC Hi&Lw Sd Drvr RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IR2011STRRPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET DRVR 200V 1A 2-OUT Hi/Lo Side Non-Inv 8-Pin SOIC T/R
IR20153S 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HIGH SIDE DRIVER WITH RECHARGE