参数资料
型号: IR2011S
厂商: International Rectifier
文件页数: 13/17页
文件大小: 0K
描述: HI/LO SIDE DRVR 8SOIC
标准包装: 95
配置: 高端和低端,独立
输入类型: 非反相
延迟时间: 80ns
电流 - 峰: 1A
配置数: 1
输出数: 2
高端电压 - 最大(自引导启动): 200V
电源电压: 10 V ~ 20 V
工作温度: -40°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SOICN
包装: 管件
其它名称: *IR2011S
IR2011(S) & (PbF)
5
4
3
2
1
0
Max.
5
4
3
2
1
0
Max.
-50
-25
0
25
50
75
100
125
10
12
14
16
18
20
Temperature ( o C)
Figure 16A. Logic "0" Input Bias Current
vs. Tem perature
12
11
12
11
Supply Voltage (V)
Figure 16B. Logic "0" Input Bias Current
vs. Supply Voltage
10
Max.
10
9
8
Typ.
Min.
9
8
Max.
Typ.
Min.
7
7
-50
-25
0
25
50
75
100
125
-50
-25
0
25
50
75
100
125
Temperature ( C)
Temperature ( o C)
Figure 17. V CC and V BS Undervoltage Threshold (+)
vs. Temperature
www.irf.com
o
Figure 18. V CC and V BS Undervoltage Threshold (-)
vs. Temperature
13
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PDF描述
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参数描述
IR2011SPBF 功能描述:功率驱动器IC HI LO SIDE DRVR 200V 1.0A 80ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IR2011STR 功能描述:HI/LO SIDE DRVR 8SOIC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端 输入类型:非反相 延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP(0.300",7.62mm) 供应商设备封装:8-DIP 包装:管件 其它名称:*IR2127
IR2011STRPBF 功能描述:功率驱动器IC Hi&Lw Sd Drvr RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IR2011STRRPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET DRVR 200V 1A 2-OUT Hi/Lo Side Non-Inv 8-Pin SOIC T/R
IR20153S 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HIGH SIDE DRIVER WITH RECHARGE