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参数资料
| 型号： | IR2112SPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 13/18页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 16SOIC |
| 标准包装： | 45 |
| 配置： | 高端和低端，独立 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 125ns |
| 电流 - 峰： | 250mA |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 2 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 600V |
| 电源电压： | 10 V ~ 20 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 16-SOIC |
| 包装： | 管件 |
IR2112( - 1 - 2)(S)PbF
11
10
Max.
500
400
9
8
Typ.
300
200
Typ.
7
6
Min.
100
0
Min.
-50
-25
0
25
50
75
100
125
-50
-25
0
25
50
75
100
125
Tem perature (°C)
Figure 25. V CC Undervoltage (-) vs. Temperature
500
400
Tem perature (°C )
Figure 26A. Output Source Current vs. Temperature
750
600
300
200
100
Typ.
Min.
450
300
150
Typ.
Min.
0
10
12
14
16
18
20
0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
VBIAS Supply Voltage (V)
Figure 26B. Output Source Current vs. Voltage
750
600
Temperature (°C)
Figure 27A. Output Sink Current vs. Temperature
450
300
150
0
Typ.
Min.
10
12
14
16
18
20
VBIAS Supply Voltage (V)
Figure 27B. Output Sink Current vs. Voltage
www.irf.com
13
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IR2113-1PBF | 功能描述:功率驱动器IC HI LO SIDE DRVR 600V 2A 120ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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