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参数资料
| 型号： | IR2112SPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 3/18页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 16SOIC |
| 标准包装： | 45 |
| 配置： | 高端和低端，独立 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 125ns |
| 电流 - 峰： | 250mA |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 2 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 600V |
| 电源电压： | 10 V ~ 20 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 16-SOIC |
| 包装： | 管件 |
IR2112( - 1 - 2)(S)PbF
Dynamic Electrical Characteristics
V BIAS (V CC , V BS , V DD ) = 15V, C L = 1000 pF, T A = 25 ° C and V SS = COM unless otherwise specified. The dynamic
electrical characteristics are measured using the test circuit shown in Figure 3.
Symbol
Definition
Figure Min. Typ. Max. Units Test Conditions
t on
t off
Turn-On Propagation Delay
Turn-Off Propagation Delay
7
8
—
—
125
105
180
160
V S = 0V
V S = 600V
t sd
t r
t f
MT
Shutdown Propagation Delay
Turn-On Rise Time
Turn-Off Fall Time
Delay Matching, HS & LS Turn-On/Off
9
10
11
—
—
—
—
—
105
80
40
—
160
130
65
30
ns
V S = 600V
Static Electrical Characteristics
V BIAS (V CC , V BS , V DD ) = 15V, T A = 25 ° C and V SS = COM unless otherwise specified. The V IN , V TH and I IN parameters
are referenced to V SS and are applicable to all three logic input leads: HIN, LIN and SD. The V O and I O parameters are
referenced to COM and are applicable to the respective output leads: HO or LO.
Symbol
Definition
Figure Min. Typ. Max. Units Test Conditions
V IH
V IL
Logic “1” Input Voltage
Logic “0” Input Voltage
12
13
9.5
—
—
—
—
6.0
V
V OH
V OL
I LK
I QBS
I QCC
I QDD
I IN+
I IN-
V BSUV+
High Level Output Voltage, V BIAS - V O
Low Level Output Voltage, V O
Offset Supply Leakage Current
Quiescent V BS Supply Current
Quiescent V CC Supply Current
Quiescent V DD Supply Current
Logic “1” Input Bias Current
Logic “0” Input Bias Current
V BS Supply Undervoltage Positive Going
14
15
16
17
18
19
20
21
22
—
—
—
—
—
—
—
—
7.4
—
—
—
25
80
2.0
20
—
8.5
100
100
50
60
180
5.0
40
1.0
9.6
mV
μ A
I O = 0A
I O = 0A
V B = V S = 600V
V IN = 0V or V DD
V IN = 0V or V DD
V IN = 0V or V DD
V IN = V DD
V IN = 0V
Threshold
V BSUV-
V BS Supply Undervoltage Negative Going
23
7.0
8.1
9.2
Threshold
V
V CCUV+
V CC Supply Undervoltage Positive Going
24
7.6
8.6
9.6
Threshold
V CCUV-
V CC Supply Undervoltage Negative Going
25
7.2
8.2
9.2
Threshold
I O+
Output High Short Circuit Pulsed Current
26
200
250
—
V O = 0V, V IN = V DD
I O-
Output Low Short Circuit Pulsed Current
27
420
500
—
mA
PW ≤ 10 μ s
V O = 15V, V IN = 0V
PW ≤ 10 μ s
www.irf.com
3
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