- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录17299 > IR2112SPBF (International Rectifier)IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 16SOIC PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IR2112SPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 14/18页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 16SOIC |
| 标准包装： | 45 |
| 配置： | 高端和低端，独立 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 125ns |
| 电流 - 峰： | 250mA |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 2 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 600V |
| 电源电压： | 10 V ~ 20 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 16-SOIC |
| 包装： | 管件 |
IR2112( - 1 - 2)(S)PbF
150
150
320V
125
320V
125
100
75
140V
100
75
140V
50
25
0
10V
50
25
0
10V
1E+2
1E+3
1E+4
1E+5
1E+6
1E+2
1E+3
1E+4
1E+5
1E+6
Frequency (Hz)
Figure 28. IR2112 T J vs. Frequency (IRFBC20)
R GATE = 33 ? , V CC = 15V
Frequency (Hz)
Figure 29. IR2112 T J vs. Frequency (IRFBC30)
R GATE = 22 ? , V CC = 15V
150
125
320V
150
125
320V 140V 10V
140V
100
75
50
25
0
10V
100
75
50
25
0
1E+2
1E+3
1E+4
1E+5
1E+6
1E+2
1E+3
1E+4
1E+5
1E+6
Frequency (Hz)
Figure 30. IR2112 T J vs. Frequency (IRFBC40)
R GATE = 15 ? , V CC = 15V
Frequency (Hz)
Figure 31. IR2112 T J vs. Frequency (IRFPE50)
R GATE = 10 ? , V CC = 15V
150
320V
150
320V
140V
125
100
140V
125
100
75
50
25
0
10V
75
50
25
0
10V
1E+2
1E+3
1E+4
1E+5
1E+6
1E+2
1E+3
1E+4
1E+5
1E+6
Frequency (Hz)
Figure 32. IR2112S T J vs. Frequency (IRFBC20)
R GATE = 33 ? , V CC = 15V
14
Frequency (Hz)
Figure 33. IR2112S T J vs. Frequency (IRFBC30)
R GATE = 22 ? , V CC = 15V
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 0210490727 | CABLE JUMPER 1.25MM .076M 5POS |
| IR21084PBF | IC DRIVER HALF BRIDGE 14DIP |
| 37112C | INDUCTOR 1.10UH 14.5A SMD |
| LBC2012T220K | INDUCTOR WOUND 22UH 130MA 0805 |
| RCC05DREN-S93 | CONN EDGECARD 10POS .100 EYELET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IR2112STR | 功能描述:IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 16SOIC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6，D²Pak（5 引线+接片），TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件 |
| IR2112STRPBF | 功能描述:功率驱动器IC HI LO SIDE DRVR 600V 200mA 135ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IR2113 | 功能描述:IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 14-DIP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端 输入类型:非反相 延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供应商设备封装:8-DIP 包装:管件 其它名称:*IR2127 |
| IR2113-1 | 功能描述:IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 14-DIP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6，D²Pak（5 引线+接片），TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件 |
| IR2113-1PBF | 功能描述:功率驱动器IC HI LO SIDE DRVR 600V 2A 120ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。