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参数资料
| 型号： | IR2113S |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 12/18页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 16SOIC |
| 标准包装： | 45 |
| 配置： | 高端和低端，独立 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 120ns |
| 电流 - 峰： | 2.5A |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 2 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 600V |
| 电源电压： | 10 V ~ 20 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 16-SOIC |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IR2113S |
IR2110( - 1 - 2)(S)PbF/IR2113( - 1 - 2)(S)PbF
60
50
40
30
20
5.00
4.00
3.00
2.00
10
0
1.00
Max.
0
2
4
6
8
10 12
14
16
18
20
0.00
-50
-25
0
25
50
75
100
125
V DD Logic Supply Voltage (V)
Figure 20B. Logic “1” Input Current vs. V DD Voltage
5
4
3
Temperature (°C)
Figure 21A. Logic “0” Input Current vs. Temperature
11.0
10.0
Max.
9.0
2
1
8.0
Typ.
Min.
7.0
0
0
2
4
6 8 10 12
V DD Logic Supply Voltage (V)
14 16
18 20
6.0
-50
-25
0
25 50
Temperature (°C)
75
100
125
Figure 21B. Logic “0” Input Current vs. V DD Voltage
11.0
10.0
Figure 22. V BS Undervoltage (+) vs. Temperature
11.0
10.0
Max.
Max.
9.0
9.0
Typ.
8.0
7.0
Typ.
Min.
8.0
7.0
Min.
6.0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
6.0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
12
Temperature (°C)
Figure 23. V BS Undervoltage (-) vs. Temperature
Temperature (°C)
Figure 24. V CC Undervoltage (+) vs. Temperature
www.irf.com
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IR21141SSPBF | 功能描述:功率驱动器IC 600V HALF BRDG DRVR IC RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IR21141SSPBF_09 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HALF-BRIDGE GATE DRIVER IC |
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