参数资料
型号: IR2113S
厂商: International Rectifier
文件页数: 9/18页
文件大小: 0K
描述: IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 16SOIC
标准包装: 45
配置: 高端和低端,独立
输入类型: 非反相
延迟时间: 120ns
电流 - 峰: 2.5A
配置数: 1
输出数: 2
高端电压 - 最大(自引导启动): 600V
电源电压: 10 V ~ 20 V
工作温度: -40°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 16-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
供应商设备封装: 16-SOIC
包装: 管件
其它名称: *IR2113S
IR2110( - 1 - 2)(S)PbF/IR2113( - 1 - 2)(S)PbF
50
40
15.0
12.0
30
9.0
Min.
Max
20
10
Max.
Typ.
6.0
3.0
0
10
12
14
16
18
20
0.0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
V BIAS Supply Voltage (V)
Figure 11B. Turn-Off Fall Time vs. Voltage
15
12
Max.
9
Temperature (°C)
Figure 12A. Logic “1” Input Threshold vs. Tempera-
ture
15.0
12.0
9.0
Min.
6
3
6.0
3.0
Max.
0
0
2
4
6
8
10 12
14
16
18
20
0.0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
V DD Logic Supply Voltage (V)
Figure 12B. Logic “1” Input Threshold vs. Voltage
15
12
9
Temperature (°C)
Figure 13A. Logic “0” Input Threshold vs. Tempera-
ture
5.00
4.00
3.00
6
Min .
2.00
3
1.00
Max.
0
0
2
4
6
8
10 12
14
16
18
20
0.00
-50
-25
0
25
50
75
100
125
V DD Logic Supply Voltage (V)
Figure 13B. Logic “0” Input Threshold vs. Voltage
www.irf.com
Temperature (°C)
Figure 14A. High Level Output vs. Temperature
9
相关PDF资料
PDF描述
GCM10DRTN CONN EDGECARD 20POS DIP .156 SLD
LM4050BEM3-4.1+T IC VREF SHUNT PREC 4.096V SOT23
EBM15DTKN CONN EDGECARD 30POS DIP .156 SLD
ASPI-0418S-150M-T3 INDUCTOR POWER MINI 15UH 0418
EMM06DTKH CONN EDGECARD 12POS DIP .156 SLD
相关代理商/技术参数
参数描述
IR2113SPBF 功能描述:功率驱动器IC HI LO SIDE DRVR 600V 2A 120ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IR2113STR 功能描述:IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 16SOIC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6,D²Pak(5 引线+接片),TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件
IR2113STRPBF 功能描述:功率驱动器IC Hi&Lw Sd Drvr All HiVlt Pins 1 Sd RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IR21141SSPBF 功能描述:功率驱动器IC 600V HALF BRDG DRVR IC RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IR21141SSPBF_09 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HALF-BRIDGE GATE DRIVER IC