参数资料
型号: IR2128STR
厂商: International Rectifier
文件页数: 14/16页
文件大小: 0K
描述: IC MOSFET DRIVER CUR-SENSE 8SOIC
标准包装: 2,500
配置: 高端
输入类型: 反相
延迟时间: 200ns
电流 - 峰: 250mA
配置数: 1
输出数: 1
高端电压 - 最大(自引导启动): 600V
电源电压: 12 V ~ 20 V
工作温度: -40°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SOICN
包装: 带卷 (TR)
IR2127(S) / IR21271(S) / IR2128(S) & (PbF)
15
14
13
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
Max.
Typ.
Min.
12
11
10
9
8
7
6
Max.
Typ.
Min.
-50
-25
0
25
50
75
100
125
10
12
14
16
18
20
Temperature (°C)
Temperature ( o C)
Figure 30A VBS Undervoltage Threshold (-)
vs Temperature (IR2127/IR2128)
500
400
Typ.
300
Vcc Supply Voltage (V)
Figure 30B VBS Undervoltage Threshold (-)
vs Voltage (IR2127/IR2128)
500
400
300
200
100
Min.
200
100
Typ.
Min.
0
0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
10
12
14
16
18
20
Temperature ( o C)
Figure 31A Output Source Current vs Temperature
800
VBIAS Supply Voltage (V)
Figure 31B Output Source Current vs Voltage
800
700
600
500
Typ.
700
600
500
400
300
200
100
0
Min.
400
300
200
100
0
Typ.
Min.
-50
-25
0
25
50
75
100
125
10
12
14
16
18
20
Temperature ( o C)
Figure 32A Output Sink Current vs Temperature
14
VBIAS Supply Voltage (V)
Figure 32B Output Sink Current vs Voltage
www.irf.com
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