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参数资料
| 型号： | IR2521DSTRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 4/17页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC BALLAST CTLR ADAPTIVE 8-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | IR2521DSTRPBFDKR |
IR2520D(S)& (PbF)
Electrical Characteristics
V CC = V BS = V BIAS = 14V +/- 0.25V, C LO =C HO =1000pF, R FMIN = 82k ? and T A = 25 ° C unless otherwise specified.
Symbol
Definition
Min. Typ. Max. Units Test Conditions
Protection Characteristics
V VCO_RUN
VCO voltage when entering run mode
—
4.8
—
V
CSCF
VS_
Crest factor peak-to-average fault factor
Maximum crest factor VS offset voltage
—
—
5.0
3.0
—
—
N/A
V
V S offset = 0.5V
OFFSET_MAX
V VCOSD
V VCO shutdown voltage
0.74
0.82
0.91
V
Minimum Frequency Setting Characteristics
V FMIN
V FMINFLT
FMIN lead voltage during normal operation
FMIN lead voltage during fault mode
4.8
—
5.1
0
5.4
—
V
V
Bootstrap FET
IBS1
VB current
30
70
—
C BS =0.1uF,
IBS2
VB current
10
20
—
mA
V S =0V
VBS = 10V
Lead Definitions
Symbol
Description
VCC
Supply voltage
VCC 1
8
VB
COM
IC power and signal ground
FMIN
Minimum frequency setting
COM
2
7 HO
VCO
LO
Voltage controlled oscillator input
Low-side gate driver output
FMIN 3
6
VS
VS
HO
High-side floating return
High-side gate driver output
VCO
4
5
LO
VB
4
High-side gate driver floating supply
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S392K59Y5PP63K7R | CAP CER 3900PF 2KV 10% RADIAL |
| 5-787355-1 | CONN RCPT 9POS VERT SOLDER CUP |
| ECC08DRTF-S13 | CONN EDGECARD 16POS .100 EXTEND |
| 1N5406RLG | DIODE STD REC 3A 600V DO201AD |
| S332K53Y5PP63K7R | CAP CER 3300PF 2KV 10% RADIAL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IR25600PBF | 功能描述:功率驱动器IC Dual Low Side Driver 6V to 20V 1.5A 85ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IR25600SPBF | 功能描述:功率驱动器IC Dual Low Side Driver 6V to 20V 1.5A 85ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IR25600SPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:DRIVER, MOSFET/IGBT, LOW SIDE, SOIC-8 |
| IR25600STRPBF | 功能描述:功率驱动器IC Dual Low Side Driver 6V to 20V 1.5A 85ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IR25601SPBF | 功能描述:功率驱动器IC 2Ch 600V Half Bridge 60mA 10-20V 50ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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