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参数资料
| 型号： | IR3092MTR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | 2 PHASE OPTERON, ATHLON, OR VR10.X CONTROL IC |
| 中文描述： | 2相皓龙，速龙，或控制IC的VR10.X |
| 文件页数： | 30/37页 |
| 文件大小： | 619K |
| 代理商： | IR3092MTR |
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IR3092
Page 30 of 37
06/25/04
MathCAD file to estimate the power dissipation of the IC
Initial Conditions:
No.of Phases:
n
2
Icq
29
mA
(
)
IC Supply Voltage:
Vcc
12
V
( )
, IC Supply Current(quiescent):
Total High side Driver VCCH supply current(quiescent):
Iqh
5 n
mA
(
)
Total Low side Driver VCCL supply Current(quiescent):
Iql
5 n
mA
(
)
Biasout Voltage:
Vbias
7.5
V
( )
Switching Frequency per phase:
fsw
oC/W)
200
kHz
(
)
Thermal Impedance of IC:
T
JA
The data from the selected MOSFETs:
27
Control FET IR3715Z, Number of Control FET per phase:
nc
2
Control FET total gate charge:
Qgc
11
nC
(
)
Synchronous FET IR3717, Number of sync. FET per phase:
ns
2
Sync FET total gate charge:
Qgs
33
nC
(
)
The IC will have less power dissipation if using external gate driver supply. For the worst case estimation,
assume using the bias regulator for all the gate drive supply voltage.
1. Quiescent Power dissipation
Total Quiescent Power Dissipation:
Pq
Icq
Iqh
Iql
(
) Vcc
10
3
Pq
0.588
W
(
)
2. The Power Loss to drive the gate of the MOSFETs
With the assumption of the low MOSFET gate resistances, most gate drive losses are dissipated in the
driver circuit.
Pdrv
Vbias fsw
10
3
n
nc Qgc
ns
Qgs
(
) 10
9
a
o
Pdrv
0.264
W
(
)
Where the
Ig
fsw 10
3
n
nc Qgc
ns Qgs
(
)
10
9
term in the equation gives the total average
bias current required to drive all the MOSFETs.
3. The bias regulator Power Loss to supply driving the MOSFETs
Preg
Vcc
Vbias
(
)
Ig
Preg
0.158
W
(
)
4. Total Power Dissipation of the IC:
Pdiss
Pq
Pdrv
Preg
Pdiss
1.01
W
(
)
And the total Junction temperature rising is:
Pdiss
T
JA
27.281
(oC)
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参数描述 |
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