参数资料
型号: IR3519STRPBF
厂商: International Rectifier
文件页数: 4/10页
文件大小: 0K
描述: IC MOSFET GATE DRIVER SON-8
标准包装: 2,500
配置: 高端和低端,同步
输入类型: PWM
延迟时间: 15ns
电流 - 峰: 2A
配置数: 1
输出数: 2
高端电压 - 最大(自引导启动): 35V
电源电压: 7V
工作温度: 0°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SON
包装: 带卷 (TR)
IR3519
PARAMETER
TEST CONDITION
MIN
TYP
MAX
UNIT
EN/UV Input/Output
Threshold Voltage, V EN TH
EN/UV rising, UV FET off
1.1
1.75
2.0
V
Hysteresis
Pull-down Resistance
EN/UV falling, UV FET off
0.6
350
600
1.1
650
1000
1.4
800
1400
V
mV
?
Sink Current
VDD = 2.5V, V(EN/UV) = 0.6V
200
350
500
μ A
Bootstrap PFET
Forward Voltage
I(BOOT) = 30mA, VDD = 7V
450
660
750
mV
General
VDD Supply Current
VDD Supply Current
EN = 0, PWM = Tri-State
EN = 3.3 V, PWM = Tri-State
50
700
100
1000
uA
uA
Note 1: Guaranteed by design, but not tested in production
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www.irf.com
8/15/08
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