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参数资料
| 型号： | IR5001SPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 6/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC CTRLR/MOSFET UNIV N-CH 8SOIC |
| 标准包装： | 95 |
| 应用： | -48V Dist 电源系统，AdvancedTCA ? 系统 |
| FET 型： | N 沟道 |
| 输出数： | 1 |
| 内部开关： | 无 |
| 延迟时间 - 开启： | 27µs |
| 延迟时间 - 关闭： | 130ns |
| 电源电压： | 36 V ~ 75 V |
| 电流 - 电源： | 500µA |
| 工作温度： | 0°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 管件 |
IR5001S & (PbF)
TYPICAL OPERATING CHARACTERISTICS
180
170
160
150
140
130
120
10.8
10.4
10
9.6
9.2
8.8
8.4
-40
-20
0
20
40
60
80
100
-40
0
40
80
120
Temperature (°C)
Figure 6 - Turn Off Delay vs. Junction Temperature
5.7
5.6
5.5
5.4
5.3
5.2
5.1
Temperature (°C)
Figure 7 - UVLO Upper Trip Point vs. Junction Temperature
28
26
24
22
20
18
16
-40
-10
20 50 80
110
140
-40
0
40 80
120
31
Temperature (°C)
Figure 8 - Vos vs. Junction Temperature
Temperature (°C)
Figure 9 - Fall Time vs. Junction Temperature
-280
29
-300
27
25
23
21
19
17
15
-320
-340
-360
-380
-40
-10
20 50 80
Temperature (°C)
110
140
-40
-20
0
20 40 60
Temperature (°C)
80
100
Figure 10 - INP, INN Input Hysteresis vs. Junction Temp.
www.irf.com
Figure 11 - FETst Threshold Voltage vs. Junction Temp.
6
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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