参数资料
型号: IRF1104STRL
厂商: International Rectifier
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描述: MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
标准包装: 800
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 40V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 100A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 9 毫欧 @ 60A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 93nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 2900pF @ 25V
功率 - 最大: 2.4W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装: D2PAK
包装: 带卷 (TR)
Note: For the most current drawings please refer to the IR website at:
http://www.irf.com/package/
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PDF描述
IRF1104S MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
IRF1104L MOSFET N-CH 40V 100A TO-262
ECW-U4822V17 CAP FILM 8200PF 400VDC 1913
KB15RKW01-12-JG SWITCH PUSHBUTTON SPDT 1A 125V
KB15SKW01-05-JF SWITCH PUSHBUTTON SPDT 1A 125V
相关代理商/技术参数
参数描述
IRF1104STRLPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, 40V, 100A, 9 MOHM, 62 NC QG, D2-PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 40V 100A 3PIN D2PAK - Tape and Reel
IRF1104STRR 功能描述:MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF1104STRRPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET
IRF120 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk