参数资料
型号: IRF1104STRL
厂商: International Rectifier
文件页数: 8/11页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
标准包装: 800
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 40V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 100A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 9 毫欧 @ 60A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 93nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 2900pF @ 25V
功率 - 最大: 2.4W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装: D2PAK
包装: 带卷 (TR)
IRF1104S/L
D 2 Pak Package Details
10.54 (.415)
10.29 (.405)
4.69 (.185)
-B-
10.16 (.400)
REF.
1.40 (.055)
M A X.
-A-
2
4.20 (.165)
1.32 (.052)
1.22 (.048)
6.47 (.255)
6.18 (.243)
1.78 (.070)
1.27 (.050)
1
3
15.49 (.610)
14.73 (.580)
2.79 (.110)
2.29 (.090)
5.28 (.208)
4.78 (.188)
2.61 (.103)
2.32 (.091)
3X
1.40 (.055)
1.14 (.045)
5.08 (.200 )
3X
0.93 (.037)
0.69 (.027)
0.25 (.010)
M
B A M
0.55 (.022)
0.46 (.018)
1 .39 (.055)
1 .14 (.045)
8.89 (.350)
REF.
M IN IM U M R E C O M M E N D E D F O O TP R IN T
11.43 (.4 50)
N O TE S :
1 D IM E N S IO N S A F T E R S O LD E R D IP .
2 D IM E N S IO N IN G & TO LE R A N C IN G P E R A N S I Y 14.5M , 1982.
LE A D A S S IG N M E N TS
1 - G A TE
2 - D R A IN
8.89 (.350)
17.78 (.700)
3 C O N T R O LLIN G D IM E N S IO N : IN C H .
4 H E A TS IN K & LE A D D IM E N S IO N S D O N O T IN C LU D E B U R R S .
3 - SOURCE
3.81 (.150)
Part Marking
2.08 (.082)
2X
2.54 (.100)
2X
IN TE R N A T IO N A L
A
PART NUMBER
8
R E C TIF IE R
LOGO
ASSEMBLY
LOT CODE
F530S
9246
9B 1M
D A TE C O D E
(Y Y W W )
YY = YEAR
W W = W EEK
www.irf.com
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PDF描述
IRF1104S MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
IRF1104L MOSFET N-CH 40V 100A TO-262
ECW-U4822V17 CAP FILM 8200PF 400VDC 1913
KB15RKW01-12-JG SWITCH PUSHBUTTON SPDT 1A 125V
KB15SKW01-05-JF SWITCH PUSHBUTTON SPDT 1A 125V
相关代理商/技术参数
参数描述
IRF1104STRLPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, 40V, 100A, 9 MOHM, 62 NC QG, D2-PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 40V 100A 3PIN D2PAK - Tape and Reel
IRF1104STRR 功能描述:MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF1104STRRPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET
IRF120 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk