参数资料
型号: IRF1104STRR
厂商: International Rectifier
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描述: MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
标准包装: 800
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 40V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 100A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 9 毫欧 @ 60A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 93nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 2900pF @ 25V
功率 - 最大: 2.4W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装: D2PAK
包装: 带卷 (TR)
Note: For the most current drawings please refer to the IR website at:
http://www.irf.com/package/
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PDF描述
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