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参数资料
| 型号： | IRF1104STRR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 4/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK |
| 标准包装： | 800 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 100A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 9 毫欧 @ 60A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 93nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2900pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.4W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRF1104S/L
5000
4000
V GS =
C iss =
C rss =
C oss =
0V, f = 1MHz
C gs + C gd , C ds SHORTED
C gd
C ds + C gd
20
I D = 60A
V DS = 32V
V DS = 20V
15
3000
Ciss
10
2000
Coss
5
1000
0
Crss
0
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE 13
1
10
100
0
25
50
75
100
1000
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
10000
Q G , Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R DS(on)
100
T J = 175 ° C
1000
10us
10
100
100us
1ms
T J = 175 C
1
0.1
T J = 25 ° C
V GS = 0 V
10
1
T C = 25 ° C
°
Single Pulse
10ms
0.2
0.8
1.4
2.0
2.6
1
10
100
4
V SD ,Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF1310NSTRR | MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK |
| IRF1404STRR | MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK |
| IRF1405STRR | MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK |
| IRF2807STRL | MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK |
| IRF3205STRR | MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF1104STRRPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET |
| IRF120 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| IRF120-123 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Power MOSFETs, 11 A, 60-100 V |
| IRF1205 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述: |
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