- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录442 > IRF1104STRR (International Rectifier)MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IRF1104STRR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 6/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK |
| 标准包装： | 800 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 100A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 9 毫欧 @ 60A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 93nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2900pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.4W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRF1104S/L
1 5V
800
600
TOP
BOTTOM
I D
24A
42A
60A
VD S
L
D R IV E R
RG
D .U .T
IA S
+
-
VD D
A
400
20V
tp
0 .0 1 ?
200
Fig 12a. Unclamped Inductive Test Circuit
0
25
50
75
100
125
150
175
V (B R )D S S
Starting T J , Junction Temperature ( ° C)
tp
Fig 12c. Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
I AS
Fig 12b. Unclamped Inductive Waveforms
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
50K ?
Q G
12V
.2 μ F
.3 μ F
- DS
10 V
V G
Q GS
Q GD
V GS
3mA
D.U.T.
+
V
6
Charge
Fig 13a. Basic Gate Charge Waveform
I G I D
Current Sampling Resistors
Fig 13b. Gate Charge Test Circuit
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF1310NSTRR | MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK |
| IRF1404STRR | MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK |
| IRF1405STRR | MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK |
| IRF2807STRL | MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK |
| IRF3205STRR | MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF1104STRRPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET |
| IRF120 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| IRF120-123 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Power MOSFETs, 11 A, 60-100 V |
| IRF1205 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述: |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。