参数资料
型号: IRF1310NL
厂商: International Rectifier
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描述: MOSFET N-CH 100V 42A TO-262
标准包装: 50
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 42A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 36 毫欧 @ 22A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 110nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1900pF @ 25V
功率 - 最大: 3.8W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
供应商设备封装: TO-262
包装: 管件
其它名称: *IRF1310NL
IRF1310NS/L
1000
TOP
I D
9.0A
16A
1 5V
800
BOTTOM
22A
VDS
L
D R IV E R
600
RG
D .U .T
IA S
+
-
VD D
A
400
20V
tp
0 .0 1 ?
200
Fig 12a. Unclamped Inductive Test Circuit
0
Starting T J , Junction Temperature ( C)
tp
V (B R )D SS
25
50      75     100    125    150
o
175
Fig 12c. Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
I AS
Fig 12b. Unclamped Inductive Waveforms
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
50K ?
Q G
12V
.2 μ F
.3 μ F
- DS
10 V
Q GS
Q GD
D.U.T.
+
V
V GS
V G
Charge
Fig 13a. Basic Gate Charge Waveform
3mA
I G I D
Current Sampling Resistors
Fig 13b. Gate Charge Test Circuit
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PDF描述
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