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参数资料
| 型号： | IRF1310NSTRR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 3/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK |
| 标准包装： | 800 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 42A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 36 毫欧 @ 22A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 110nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1900pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRF1310NS/L
1000
100
10
VGS
TOP 15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
1000
100
10
VGS
TOP 15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
4.5V
4.5V
1
0.1
1
20us PULSE WIDTH
T J = 25 o C
10 100
1
0.1
1
20us PULSE WIDTH
T J = 175 o C
10 100
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 1. Typical Output Characteristics
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 2. Typical Output Characteristics
1000
3.0
2.5
I D = 36A
100
T J = 25 o C
2.0
10
T J = 175 o C
1.5
1.0
0.5
V DS = 50V
1
4.0
5.0
6.0
7.0
20μ S PULSE WIDTH
8.0 9.0
10.0
0.0
-60 -40 -20
0
V GS = 10V
20 40 60 80 100 120 140 160 180
T J , Junction Temperature ( C)
V GS , Gate-to-Source Voltage (V)
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
o
Fig 4. Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF1404STRR | MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK |
| IRF1405STRR | MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK |
| IRF2807STRL | MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK |
| IRF3205STRR | MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK |
| IRF3315STRR | MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF1310NSTRRPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 0.036Ohm;ID 42A;D2Pak;PD 160W;VGS +/-20V 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 100V 42A 3PIN D2PAK - Tape and Reel |
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