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参数资料
| 型号： | IRF1310NSTRR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 6/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK |
| 标准包装： | 800 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 42A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 36 毫欧 @ 22A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 110nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1900pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRF1310NS/L
1000
TOP
I D
9.0A
16A
1 5V
800
BOTTOM
22A
VDS
L
D R IV E R
600
RG
D .U .T
IA S
+
-
VD D
A
400
20V
tp
0 .0 1 ?
200
Fig 12a. Unclamped Inductive Test Circuit
0
Starting T J , Junction Temperature ( C)
tp
V (B R )D SS
25
50 75 100 125 150
o
175
Fig 12c. Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
I AS
Fig 12b. Unclamped Inductive Waveforms
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
50K ?
Q G
12V
.2 μ F
.3 μ F
- DS
10 V
Q GS
Q GD
D.U.T.
+
V
V GS
V G
Charge
Fig 13a. Basic Gate Charge Waveform
3mA
I G I D
Current Sampling Resistors
Fig 13b. Gate Charge Test Circuit
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF1404STRR | MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK |
| IRF1405STRR | MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK |
| IRF2807STRL | MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK |
| IRF3205STRR | MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK |
| IRF3315STRR | MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF1310NSTRRPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 0.036Ohm;ID 42A;D2Pak;PD 160W;VGS +/-20V 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 100V 42A 3PIN D2PAK - Tape and Reel |
| IRF1310S | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.04ohm, Id=41A) |
| IRF1312 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET |
| IRF1312HR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 80V 95A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
| IRF1312L | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET |
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