参数资料
型号: IRF1310NSTRR
厂商: International Rectifier
文件页数: 4/11页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK
标准包装: 800
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 42A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 36 毫欧 @ 22A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 110nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1900pF @ 25V
功率 - 最大: 3.8W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装: D2PAK
包装: 带卷 (TR)
IRF1310NS/L
3500
3000
V GS = 0V,   f = 1MHz
C iss = C gs + C gd , C ds SHORTED
C rss = C gd
C oss = C ds + C gd
20
16
I D = 22A
V DS = 80V
V DS = 50V
V DS = 20V
2500
Ciss
2000
1500
1000
Coss
12
8
500
Crss
4
FOR TEST CIRCUIT
0
1
10
100
0
0
20
40
60
SEE FIGURE 13
80     100
120
1000
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
1000
Q G , Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY RDS(on)
100
10
1
100
10
10us
100us
1ms
T C = 25 C
0.1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
VGS = 0 V
1.4    1.6
1
1
o
T J = 175 o C
Single Pulse
10
10ms
100
1000
V SD ,Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
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