- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录21639 > IRF1405S (International Rectifier)MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IRF1405S |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 2/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 131A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5.3 毫欧 @ 101A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 260nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5480pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 200W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRF1405S |
IRF1405S/L
Electrical Characteristics @ T J = 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
Min.
Typ.
Max. Units
Conditions
V (BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
55
–––
––– V V GS = 0V, I D = 250μA
? V (BR)DSS / ? T J
R DS(on)
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
Static Drain-to-Source On-Resistance
–––
–––
0.057
4.6
––– V/°C
5.3 m ?
Reference to 25°C, I D = 1mA
V GS = 10V, I D = 101A ?
μA
200 V GS = 20V
––– I D = 101A
––– R G = 1.1 ?
V GS(th)
g fs
I DSS
I GSS
Q g
Q gs
Q gd
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Gate Threshold Voltage
Forward Transconductance
Drain-to-Source Leakage Current
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
2.0
69
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
170
44
62
13
190
130
110
4.0 V V DS = 10V, I D = 250μA
––– S V DS = 25V, I D = 110A
20 V DS = 55V, V GS = 0V
250 V DS = 44V, V GS = 0V, T J = 150°C
nA
-200 V GS = -20V
260 I D = 101A
66 nC V DS = 44V
93 V GS = 10V ?
––– V DD = 38V
ns
––– V GS = 10V ?
L D
L S
Internal Drain Inductance
Internal Source Inductance
–––
–––
4.5
7.5
–––
–––
nH
Between lead,
6mm (0.25in.)
from package
and center of die contact
G
D
S
C iss
C oss
C rss
C oss
C oss
C oss eff.
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Output Capacitance
Output Capacitance
Effective Output Capacitance ?
–––
–––
–––
–––
–––
–––
5480
1210
280
5210
900
1500
––– V GS = 0V
––– pF V DS = 25V
––– ? = 1.0MHz, See Fig. 5
––– V GS = 0V, V DS = 1.0V, ? = 1.0MHz
––– V GS = 0V, V DS = 44V, ? = 1.0MHz
––– V GS = 0V, V DS = 0V to 44V
Source-Drain Ratings and Characteristics
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
I S
I SM
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode) ?
––– ––– 131 ?
––– ––– 680
A
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
G
D
S
V SD
Diode Forward Voltage
––– ––– 1.3 V T J = 25°C, I S = 101A, V GS = 0V
?
t rr
Q rr
t on
2
Reverse Recovery Time
Reverse RecoveryCharge
Forward Turn-On Time
––– 88 130 ns T J = 25°C, I F = 101A
––– 250 380 nC di/dt = 100A/μs ?
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by L S +L D )
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AT3011D12JE | SW CAP RND LED AMBER 12V CLR YEL |
| AT3010F12JA | SW CAP SQ LED GREEN 12V CLR BLCK |
| FA120 BK OG | BUTTON CAP ORANGE |
| RJ6X104 | TRIMMER 100K OHM 0.5W TH |
| RJ6X253 | TRIMMER 25K OHM 0.5W TH |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF1405SHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
| IRF1405SPBF | 功能描述:MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 5.3mOhms 170nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF1405STRL | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 131A I(D) | TO-263AB |
| IRF1405STRLHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 55V 131A 3PIN D2PAK - Tape and Reel |
| IRF1405STRLPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 131A 5.3mOhm 170nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。