参数资料
型号: IRF1405S
厂商: International Rectifier
文件页数: 4/12页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK
标准包装: 50
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 55V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 131A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 5.3 毫欧 @ 101A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 260nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 5480pF @ 25V
功率 - 最大: 200W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装: D2PAK
包装: 管件
其它名称: *IRF1405S
IRF1405S/L
100000
VGS = 0V,   f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, Cds
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
SHORTED
20
16
I D = 101A
V DS = 44V
V DS = 27V
10000
1000
Ciss
Coss
Crss
12
8
4
100
1
10
100
0
0
60
120
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE 13
180      240      300
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
1000
10000
Q G , Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
T J = 175 C
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R DS(on)
°
1000
100
100
10us
100us
10
T J = 25 ° C
10
1ms
10ms
1
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
V GS = 0 V
2.5     3.0
1
1
T C = 25 ° C
T J = 175 ° C
Single Pulse
10
100
4
V SD ,Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com
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PDF描述
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AT3010F12JA SW CAP SQ LED GREEN 12V CLR BLCK
FA120 BK OG BUTTON CAP ORANGE
RJ6X104 TRIMMER 100K OHM 0.5W TH
RJ6X253 TRIMMER 25K OHM 0.5W TH
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参数描述
IRF1405SHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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IRF1405STRL 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 131A I(D) | TO-263AB
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