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参数资料
型号： IRF2907Z
厂商： International Rectifier
英文描述： AUTOMOTIVE MOSFET
中文描述： 汽车MOSFET的
文件页数： 8/12页
文件大小： 361K
代理商： IRF2907Z
8
www.irf.com
Fig 17.
for N-Channel
HEXFET Power MOSFETs
P.W.
Period
di/dt
Diodedv/dt
Ripple
≤
5%
Body Diode
Forward Drop
Re-Applied
Voltage
Reverse
Current
Body Diode Forward
Current
V
GS
=10V
V
DD
I
SD
Driver Gate Drive
D.U.T. I
SD
Waveform
D.U.T. V
DS
Waveform
Inductor Curent
D =
P.W.
Period
+
-
+
+
+
-
-
-
"!!
#$$
!"!!%"
V
DS
90%
10%
V
GS
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
&'
#
≤ 1
(
≤ 0.1 %
+
-
Fig 18a.
Switching Time Test Circuit
Fig 18b.
Switching Time Waveforms
相关PDF资料
PDF描述
IRF2907ZS-7PPBF IRF2907ZS-7PPBF
IRF3205L Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=8.0mohm, Id=110A)
IRF3205 Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=8.0mohm, Id=110A)
IRF3205S Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=8.0mohm, Id=110A)
IRF3305PBF HEXFET㈢ Power MOSFET
相关代理商/技术参数
参数描述
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IRF2907ZPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 75V 170A 4.5mOhm 180nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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IRF2907ZS-7PPBF 功能描述:MOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 3.8mOhms 170nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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