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参数资料
| 型号： | IRF3007LPBF |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 62 A, 75 V, 0.0126 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA |
| 封装： | LEAD FREE, PLASTIC, TO-262, 3 PIN |
| 文件页数： | 8/11页 |
| 文件大小： | 323K |
| 代理商： | IRF3007LPBF |
IRF3007S/LPbF
6
www.irf.com
QG
QGS
QGD
VG
Charge
D.U.T.
VDS
ID
IG
3mA
VGS
.3
F
50K
.2
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
10 V
Fig 13b. Gate Charge Test Circuit
Fig 13a. Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c. Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b. Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a. Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V(BR)DSS
IAS
Fig 14. Threshold Voltage Vs. Temperature
RG
IAS
0.01
tp
D.U.T
L
VDS
+
- VDD
DRIVER
A
15V
20V
VGS
-75 -50 -25
0
25
50
75 100 125 150 175
TJ , Temperature ( °C )
1.0
2.0
3.0
4.0
-V
G
S
(t
h)
G
at
e
th
re
sh
ol
d
V
ol
ta
ge
(V
)
ID = 250A
25
50
75
100
125
150
Starting TJ , Junction Temperature (°C)
0
100
200
300
400
500
600
700
E
A
S
,S
in
gl
e
P
ul
se
A
va
la
nc
he
E
ne
rg
y
(m
J)
ID
TOP
20A
34A
BOTTOM 48A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF3205ZSTRLPBF | 75 A, 55 V, 0.0065 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF3007PBF | 功能描述:MOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 12.6mOhms 89nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| IRF3007STRLPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:75V D2PAK - Tape and Reel 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N CH 75V 62A TO220AB 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET 75V D2PAK |
| IRF3103 | 制造商:INTERFET 制造商全称:INTERFET 功能描述:HEXFET㈢ Power MOSFET |
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