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参数资料
| 型号： | IRF3315STRR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 4/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK |
| 标准包装： | 800 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 21A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 82 毫欧 @ 12A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 95nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1300pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRF3315S/L
3000
2500
V GS = 0V, f = 1MHz
C iss = C gs + C gd , C ds SHORTED
C rss = C gd
C oss = C ds + C gd
20
16
I D = 12 A
V DS = 120V
V DS = 75V
V DS = 30V
2000
C iss
12
1500
C oss
8
1000
500
Crss
4
FOR TEST CIRCUIT
0
0
SEE FIGURE 13
1
10
100
0
20
40
60
80
100
100
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
1000
Q G , Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R DS(on)
10
1
T J = 175 ° C
T J = 25 ° C
100
10
10us
100us
1ms
0.1
0.2
0.5
0.8
V GS = 0 V
1.1 1.4
1
1
T C = 25 ° C
T J = 175 ° C
Single Pulse
10
100
10ms
1000
V SD ,Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF3315 | MOSFET N-CH 150V 27A TO-220AB |
| IRF3415STRR | MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK |
| IRF3515STRR | MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK |
| IRF3610SPBF | MOSFET N-CH 100V 103A D2PAK |
| IRF3704STRR | MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF3315STRRPBF | 功能描述:MOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 82mOhms 63.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF331R | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 5.5A I(D) | TO-204AA |
| IRF332 | 制造商:International Rectifier 功能描述: |
| IRF332R | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 4.5A I(D) | TO-204AA |
| IRF333 | 制造商:SAMSUNG 制造商全称:Samsung semiconductor 功能描述:N-CHANNEL POWER MOSFETS |
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