参数资料
型号: IRF3704ZCSTRRP
厂商: International Rectifier
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描述: MOSFET N-CH 20V 67A D2PAK
标准包装: 800
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 67A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 7.9 毫欧 @ 21A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2.55V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 13nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1220pF @ 10V
功率 - 最大: 57W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装: D2PAK
包装: 带卷 (TR)
PD - 95107
IRF3704ZCSPbF
IRF3704ZCLPbF
Applications
l High Frequency Synchronous Buck
Converters for Computer Processor Power
l Lead-Free
Benefits
HEXFET ? Power MOSFET
V DSS R DS(on) max Qg
20V 7.9m : 8.7nC
l
l
l
Low R DS(on) at 4.5V V GS
Ultra-Low Gate Impedance
Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
Absolute Maximum Ratings
Parameter
D 2 Pak
IRF3704ZCSPbF
Max.
TO-262
IRF3704ZCLPbF
Units
V DS
V GS
I D @ T C = 25°C
I D @ T C = 100°C
I DM
P D @T C = 25°C
P D @T C = 100°C
T J
T STG
Drain-to-Source Voltage
Gate-to-Source Voltage
Continuous Drain Current, V GS @ 10V
Continuous Drain Current, V GS @ 10V
Pulsed Drain Current
Maximum Power Dissipation
Maximum Power Dissipation
Linear Derating Factor
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
20
± 20
67
47
260
57
28
0.38
-55 to + 175
300 (1.6mm from case)
V
A
W
W/°C
°C
Thermal Resistance
Parameter
Typ.
Max.
Units
R θ JC
R θ JA
Junction-to-Case
Junction-to-Ambient (PCB Mount)
–––
–––
2.65
40
°C/W
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www.irf.com
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03/11/04
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