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参数资料
| 型号： | IRF3704ZCSTRRP |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 6/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 67A D2PAK |
| 标准包装： | 800 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 67A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7.9 毫欧 @ 21A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.55V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 13nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1220pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 57W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRF3704ZCS/LPbF
15V
140
VDS
L
DRIVER
120
100
I D
TOP 5.6A
8.5A
BOTTOM 17A
RG
GS
20V
tp
D.U.T
IAS
0.01 ?
+
-
VDD
A
80
60
Fig 12a. Unclamped Inductive Test Circuit
V (BR)DSS
tp
40
20
0
25
50
75
100
125
150
175
Starting T J, Junction Temperature (°C)
Fig 12c. Maximum Avalanche Energy
vs. Drain Current
I AS
Fig 12b. Unclamped Inductive Waveforms
V DS
L D
+
V DD -
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
V GS
D.U.T
Pulse Width < 1μs
Duty Factor < 0.1%
50K ?
- DS
12V
.2 μ F
.3 μ F
D.U.T.
+
V
Fig 14a. Switching Time Test Circuit
V DS
90%
V GS
3mA
10%
6
I G I D
Current Sampling Resistors
Fig 13. Gate Charge Test Circuit
V GS
t d(on) t r t d(off) t f
Fig 14b. Switching Time Waveforms
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EBM10DTMN-S189 | CONN EDGECARD 20POS R/A .156 SLD |
| IRL5602STRRPBF | MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK |
| RO-2405S/EP | CONV DC/DC 1W 24VIN 05VOUT |
| IRL3715ZCSTRRP | MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK |
| EBM10DTMH-S189 | CONN EDGECARD 20POS R/A .156 SLD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF3704ZL | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET |
| IRF3704ZLHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 20V 67A 3PIN TO-262 - Bulk |
| IRF3704ZLPBF | 功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 7.9mOhms 8.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF3704ZPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 20V 67A 7.9mOhm 8.7nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF3704ZS | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET |
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