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参数资料
| 型号： | IRF3704ZCSTRRP |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 5/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 67A D2PAK |
| 标准包装： | 800 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 67A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7.9 毫欧 @ 21A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.55V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 13nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1220pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 57W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRF3704ZCS/LPbF
70
60
LIMITED BY PACKAGE
2.6
50
40
2.2
1.8
ID = 250μA
30
1.4
20
10
1.0
0
25
50 75 100 125 150
T C , Case Temperature (°C)
175
0.6
-75 -50 -25
0 25 50 75 100 125 150 175 200
T J , Temperature ( °C )
Fig 9. Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
10
Fig 10. Threshold Voltage vs. Temperature
1
D = 0.50
0.20
0.10
τ 3
τ C
0.1
0.05
0.02
0.01
τ J
τ J
τ 1
τ 1
R 1
R 1
τ 2
R 2
R 2
τ 2
R 3
R 3
τ 3
τ
Ri (°C/W) τ i (sec)
0.920 0.000139
0.194 0.000602
0.01
SINGLE PULSE
( THERMAL RESPONSE )
Ci= τ i / Ri
Ci= τ i / Ri
0.538 0.001567
Notes:
1. Duty Factor D = t1/t2
2. Peak Tj = P dm x Zthjc + Tc
0.001
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
0.01
t1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
Fig11. MaximumEffectiveTransientThermalImpedance,Junction-to-Case
www.irf.com
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EBM10DTMN-S189 | CONN EDGECARD 20POS R/A .156 SLD |
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| IRL3715ZCSTRRP | MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK |
| EBM10DTMH-S189 | CONN EDGECARD 20POS R/A .156 SLD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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