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参数资料
型号： IRF3707STRR
厂商： International Rectifier
文件页数： 2/11页
文件大小： 0K
描述： MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK
标准包装： 800
系列： HEXFET®
FET 型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点： 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)： 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： 62A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： 12.5 毫欧 @ 15A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）： 3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs： 19nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds： 1990pF @ 15V
功率 - 最大： 87W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装： D2PAK
包装： 带卷 (TR)
IRF3707/3707S/3707L
Static @ T J = 25 ° C (unless otherwise specified)
Parameter
Min.
Typ.
Max. Units
Conditions
V (BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
30
–––
–––
V V GS = 0V, I D = 250μA
? V (BR)DSS / ? T J Breakdown Voltage Temp. Coefficient
–––
0.027
–––
V/ ° C Reference to 25 ° C, I D = 1mA
m ?
R DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
–––
–––
9.0
12.6
12.5 V GS = 10V, I D = 15A
17 V GS = 4.5V, I D = 12A
?
?
V GS(th)
Gate Threshold Voltage 1.0
–––
3.0 V V DS = V GS , I D = 250μA
I DSS
I GSS
Drain-to-Source Leakage Current
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
20 V DS = 24V, V GS = 0V
μA
100 V DS = 24V, V GS = 0V, T J = 125 ° C
200 V GS = 16V
nA
-200 V GS = -16V
Dynamic @ T J = 25°C (unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
Min.
Typ.
Max. Units
Conditions
g fs
Q g
Q gs
Q gd
Forward Transconductance
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
37
–––
–––
–––
–––
19
8.2
6.3
–––
–––
–––
–––
S V DS = 15V, I D = 49.6A
I D = 24.8A
nC V DS = 15V
V GS = 4.5V ?
Q oss
Output Gate Charge
–––
18
27 V GS = 0V, V DS = 15V
t d(on)
Turn-On Delay Time
–––
8.5
–––
V DD = 15V
t r
t d(off)
Rise Time
Turn-Off Delay Time
–––
–––
78
11.8
–––
–––
ns
I D = 24.8A
R G = 1.8 ?
t f
C iss
C oss
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
–––
–––
–––
3.3
1990
707
–––
–––
–––
V GS = 4.5V
V GS = 0V
V DS = 15V
?
C rss
Reverse Transfer Capacitance
–––
50
–––
pF
? = 1.0MHz
Avalanche Characteristics
Symbol
E AS
I AR
Parameter
Single Pulse Avalanche Energy ?
Avalanche Current ?
Typ.
–––
–––
Max.
213
62
Units
mJ
A
Diode Characteristics
Symbol
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
integral reverse
I S
I SM
V SD
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode) ?
Diode Forward Voltage
–––
–––
–––
–––
–––
–––
0.88
0.8
62
248
1.3
–––
A
V
MOSFET symbol
showing the
G
p-n junction diode.
T J = 25 ° C, I S = 31A, V GS = 0V ?
T J = 125 ° C, I S = 31A, V GS = 0V ?
D
S
t rr
Q rr
t rr
Q rr
Reverse
Reverse
Reverse
Reverse
Recovery
Recovery
Recovery
Recovery
Time
Charge
Time
Charge
–––
–––
–––
–––
39
49
42
62
59
74
63
93
ns
nC
ns
nC
T J = 25 ° C, I F = 31A, V R =20V
di/dt = 100A/μs ?
T J = 125 ° C, I F = 31A, V R =20V
di/dt = 100A/μs ?
2
www.irf.com
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PDF描述
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参数描述
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IRF3707Z 功能描述:MOSFET N-CH 30V 59A TO-220AB RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF3707ZCL 功能描述:MOSFET N-CH 30V 59A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF3707ZCLPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 59A 9.5mOhm 9.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF3707ZCS 功能描述:MOSFET N-CH 30V 59A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
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