- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录442 > IRF3707STRR (International Rectifier)MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IRF3707STRR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 7/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK |
| 标准包装： | 800 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 62A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 12.5 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 19nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1990pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 87W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRF3707/3707S/3707L
TO-220AB Package Outline
Dimensions are shown in millimeters (inches)
2 .8 7 (.1 1 3 )
2 .6 2 (.1 0 3 )
1 0 .5 4 (.4 1 5 )
1 0 .2 9 (.4 0 5 )
3 .7 8 (.1 4 9 )
3 .5 4 (.1 3 9 )
-A -
4 .6 9 (.1 8 5 )
4 .2 0 (.1 6 5 )
-B -
1 .3 2 (.05 2 )
1 .2 2 (.04 8 )
6 .4 7 (.2 5 5 )
1 5 .2 4 (.6 0 0 )
1 4 .8 4 (.5 8 4 )
4
6 .1 0 (.2 4 0 )
1 .1 5 (.0 4 5 )
M IN
L E A D A S S IG N M E N T S
1 - GATE
1
2
3
2 - D R A IN
3 - S OU R CE
4 - D R A IN
1 4 .0 9 (.5 5 5 )
1 3 .4 7 (.5 3 0 )
4 .0 6 (.1 6 0 )
3 .5 5 (.1 4 0 )
3X
1 .4 0 (.0 5 5 )
1 .1 5 (.0 4 5 )
0 .93 (.0 3 7 )
3X
0 .69 (.0 2 7 )
0 .3 6 (.0 1 4 )
M
B
A M
0.5 5 (.0 2 2 )
3X
0.4 6 (.0 1 8 )
2 .9 2 (.11 5 )
2 .5 4 (.1 0 0 )
2X
N O TE S :
1 D IM E N S IO N IN G & T O L E R A N C IN G P E R A N S I Y 1 4 .5 M , 1 9 8 2 .
2 C O N T R O L L IN G D IM E N S IO N : IN C H
2 .6 4 (.10 4 )
3 O U T L IN E C O N F O R M S T O J E D E C O U T L IN E T O -2 2 0 A B .
4 H E A T S IN K & L E A D M E A S U R E M E N T S D O N O T IN C L U D E B U R R S .
TO-220AB Part Marking Information
E X A M P L E : T H IS IS A N IR F 1 0 1 0
W IT H A S S E M B L Y
LOT C ODE 9B1M
IN T E R N A T IO N A L
R E C T IF IE R
LOGO
IR F 1 0 1 0
9246
A
PART NU M BER
www.irf.com
ASSEMBLY
LOT CODE
9B 1M
D ATE CO DE
(Y Y W W )
YY = YEAR
W W = W EEK
7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF3707ZCSTRLP | MOSFET N-CH 30V 59A D2PAK |
| IRF3707ZSTRLP | MOSFET N-CH 30V 59A D2PAK |
| IRF3708STRLPBF | MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK |
| IRF3709ZSTRLPBF | MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK |
| IRF3710L | MOSFET N-CH 100V 57A TO-262 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF3707STRRPBF | 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 12.5mOhms 19nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF3707Z | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 59A TO-220AB RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRF3707ZCL | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 59A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRF3707ZCLPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 59A 9.5mOhm 9.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF3707ZCS | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 59A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。