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参数资料
| 型号： | IRF3707STRR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 8/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK |
| 标准包装： | 800 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 62A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 12.5 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 19nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1990pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 87W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRF3707/3707S/3707L
D 2 Pak Package Outline
Dimensions are shown in millimeters (inches)
1.4 0 (.055 )
M AX.
1 0.54 (.415 )
1 0.29 (.405 )
-A-
2
4 .6 9 (.18 5)
4 .2 0 (.16 5)
-B-
1.3 2 (.05 2)
1.2 2 (.04 8)
10 .1 6 (.4 00 )
R E F.
6.47 (.2 55 )
6.18 (.2 43 )
1.7 8 (.07 0)
1.2 7 (.05 0)
1
3
1 5.49 (.6 10)
1 4.73 (.5 80)
2.7 9 (.110 )
2.2 9 (.090 )
5.28 (.2 08 )
4.78 (.1 88 )
2.61 (.1 03 )
2.32 (.0 91 )
3X
1.40 (.0 55)
1.14 (.0 45)
5 .08 (.20 0)
3X
0.9 3 (.0 37 )
0.6 9 (.0 27 )
0.25 (.0 10 )
M
B A M
0.55 (.0 22)
0.46 (.0 18)
1.3 9 (.0 55 )
1.1 4 (.0 45 )
8.8 9 (.3 50 )
R E F.
M IN IM U M R EC O M M E ND E D F O O TP R IN T
1 1.43 (.4 50 )
NO TE S:
1 D IM EN S IO N S A FTER SO LD E R D IP .
2 D IM EN S IO N IN G & TO LE R AN C IN G P ER AN S I Y1 4.5M , 19 82 .
3 C O N TRO L LIN G D IM EN S IO N : IN C H.
4 H E ATSINK & L EA D D IM E N SIO N S DO N O T IN C LU D E B U R RS .
D 2 Pak Part Marking Information
LE AD AS SIG N M E N TS
1 - G ATE
2 - D RA IN
3 - SO U R C E
8 .89 (.35 0)
3.81 (.1 5 0)
2.0 8 (.08 2)
2X
17 .78 (.70 0)
2.5 4 (.100 )
2X
IN TE R N A TIO N A L
A
PART NUM BER
8
R E C T IF IE R
LO G O
A S S E M B LY
LO T C O D E
F530S
9 24 6
9B 1M
DATE CODE
(Y YW W )
YY = Y E A R
W W = W EEK
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF3707ZCSTRLP | MOSFET N-CH 30V 59A D2PAK |
| IRF3707ZSTRLP | MOSFET N-CH 30V 59A D2PAK |
| IRF3708STRLPBF | MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK |
| IRF3709ZSTRLPBF | MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK |
| IRF3710L | MOSFET N-CH 100V 57A TO-262 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF3707STRRPBF | 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 12.5mOhms 19nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF3707Z | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 59A TO-220AB RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRF3707ZCL | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 59A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRF3707ZCLPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 59A 9.5mOhm 9.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF3707ZCS | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 59A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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