- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录18347 > IRF3709ZSTRRPBF (International Rectifier)MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IRF3709ZSTRRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 12/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK |
| 标准包装： | 800 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 87A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6.3 毫欧 @ 21A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.25V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 26nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2130pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 79W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRF3709Z/S/LPbF
D 2 Pak Tape & Reel Infomation
Dimensions are shown in millimeters (inches)
TRR
1.60 (.063)
1.50 (.059)
4.10 (.161)
3.90 (.153)
1.60 (.063)
1.50 (.059)
0.368 (.0145)
0.342 (.0135)
FEED DIRECTION 1.85 (.073)
1.65 (.065)
11.60 (.457)
11.40 (.449)
15.42 (.609)
15.22 (.601)
24.30 (.957)
23.90 (.941)
TRL
10.90 (.429)
10.70 (.421)
1.75 (.069)
1.25 (.049)
16.10 (.634)
4.72 (.136)
4.52 (.178)
15.90 (.626)
FEED DIRECTION
330.00
(14.173)
MAX.
13.50 (.532)
12.80 (.504)
27.40 (1.079)
23.90 (.941)
4
60.00 (2.362)
MIN.
NOTES :
1. COMFORMS TO EIA-418.
2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER.
3. DIMENSION MEASURED @ HUB.
4. INCLUDES FLANGE DISTORTION @ OUTER EDGE.
26.40 (1.039)
24.40 (.961)
3
30.40 (1.197)
MAX.
4
Notes:
? Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature.
? Starting T J = 25°C, L = 0.42mH, R G = 25 ? ,
I AS = 17A.
? Pulse width ≤ 400μs; duty cycle ≤ 2%.
? C oss eff. is a fixed capacitance that gives the same
charging time as C oss while V DS is rising from 0 to
80% V DSS .
? This is applied to D 2 Pak, when mounted on 1" square PCB (FR-
4 or G-10 Material). For recommended footprint and soldering
techniques refer to application note #AN-994.
? Calculated continuous current based on maximum allowable
junction temperature. Package limitation current is 42A.
? R θ is measured at T J of approximately 90°C.
Data and specifications subject to change without notice.
This product has been designed and qualified for the Industrial market.
Qualification Standards can be found on IR’s Web site.
IR WORLD HEADQUARTERS: 233 Kansas St., El Segundo, California 90245, USA Tel: (310) 252-7105
TAC Fax: (310) 252-7903
Visit us at www.irf.com for sales contact information . 6/04
12
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M2012TXW13-GA | SWITCH ROCKER SPDT 6A 125V |
| IRFU1010ZPBF | MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK |
| M2012TXW13-DA | SWITCH ROCKER SPDT 6A 125V |
| M2012TYW01-JC | SWITCH ROCKER SPDT 6A 125V |
| M2012TYW01-JB | SWITCH ROCKER SPDT 6A 125V |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF3710 | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N TO-220 |
| IRF3710HR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 100V 57A 3PIN TO-220AB - Rail/Tube |
| IRF3710L | 功能描述:MOSFET N-CH 100V 57A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRF3710LPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 57A 23mOhm 86.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF3710PBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 57A 23mOhm 86.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。