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参数资料
| 型号： | IRF3709ZSTRRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 6/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK |
| 标准包装： | 800 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 87A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6.3 毫欧 @ 21A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.25V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 26nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2130pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 79W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRF3709Z/S/LPbF
9.00
16
8.00
7.00
T J = 125°C
Vgs = 10V
14
12
10
I D = 21A
T J = 125°C
8
6.00
5.00
T J = 25°C
6
4
T J = 25°C
2
4.00
10.0
20.0
30.0
40.0
50.0
60.0
70.0
0
ID, Drain Current (A)
2
3
4
5
6
7
8
9
10
VGS, Gate -to -Source Voltage (V)
Fig 12. On-Resistance vs. Drain Current
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Id
Fig 13. On-Resistance vs. Gate Voltage
50K ?
Vds
- DS
12V
.2 μ F
.3 μ F
D.U.T.
+
V
Vgs
250
ID
V GS
3mA
I G I D
Current Sampling Resistors
Vgs(th)
Qgs1 Qgs2
Qgd
Qgodr
200
TOP 5.4A
8.0A
BOTTOM 17A
150
Fig 14a&b. Basic Gate Charge Test Circuit
and Waveform
V (BR)DSS
15V
100
50
tp
VDS
L
DRIVER
I AS
RG
20V
tp
D.U.T
IAS
0.01 ?
+
-
VDD
A
0
25
50 75 100 125 150
Starting T J , Junction Temperature (°C)
175
Fig 15a&b. Unclamped Inductive Test circuit
and Waveforms
6
Fig 16. Maximum Avalanche Energy
vs. Drain Current
www.irf.com
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PDF描述 |
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