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参数资料
| 型号： | IRF510 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB |
| 标准包装： | 1,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 540 毫欧 @ 3.4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 8.3nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 180pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 43W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRF510 |
IRF510, SiHF510
Vishay Siliconix
400
V GS = 0 V, f = 1 MHz
320
240
160
80
C iss = C gs + C gd , C ds Shorted
C rss = C gd
C oss = C ds + C gd
C iss
C oss
C rss
10 0
10 -1
175 ° C
25 ° C
V GS = 0 V
0
10 0
10 1
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
91015_05
V DS, Drain-to-Source Voltage (V)
91015_07
V SD , Source-to-Drain Voltage (V)
Fig. 5 - Typical Capacitance vs. Drain-to-Source Voltage
Fig. 7 - Typical Source-Drain Diode Forward Voltage
20
16
12
8
4
I D = 5.6 A
V DS = 80 V
V DS = 50 V
V DS = 20 V
For test circuit
10 2
5
2
10
5
2
1
5
2
Operation in this area limited
by R DS(on)
100 μs
1 ms
10 ms
T C = 25 ° C
T J = 175 ° C
0
0
2
4
6
see figure 13
8
10
0.1
1
2
5
10
Single Pulse
2 5
10 2
2
5
10 3
91015_06
Q G , Total Gate Charge (nC)
91015_08
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig. 6 - Typical Gate Charge vs. Gate-to-Source Voltage
www.vishay.com
4
Fig. 8 - Maximum Safe Operating Area
Document Number: 91015
S11-0511-Rev. B, 21-Mar-11
This datasheet is subject to change without notice.
THE PRODUCT DESCRIBED HEREIN AND THIS DATASHEET ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF520NSTRR | MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK |
| IRF520N | MOSFET N-CH 100V 9.7A TO-220AB |
| IRF520SPBF | MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK |
| IRF5210L | MOSFET P-CH 100V 40A TO-262 |
| IRF5305L | MOSFET P-CH 55V 31A TO-262 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF510_R4941 | 功能描述:MOSFET TO-220AB N-Ch Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF510-513 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Power MOSFETs, 5.5 A, 60-100V |
| IRF510A | 功能描述:MOSFET 100V .2 OHM 33W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF510A_Q | 功能描述:MOSFET 100V .2 Ohm 33W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF510L | 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 5.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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