型号: | IRF520FI |
厂商: | 意法半导体 |
英文描述: | N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistors(N沟道增强模式功率MOSFET) |
中文描述: | N沟道增强模式功率MOS晶体管(不适用沟道增强模式功率MOSFET的) |
文件页数: | 1/9页 |
文件大小: | 181K |
代理商: | IRF520FI |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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IRF530FP | N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistors(N沟道增强模式功率MOS晶体管) |
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IRF620 | N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistors(N沟道增强模式功率MOSFET) |
IRF630M | N-CHANNEL 200V - 0.35W - 9A TO-220/TO-220FP MESH OVERLAY MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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IRF520L | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.20ohm, Id=9.7A) |
IRF520N | 功能描述:MOSFET N-CH 100V 9.7A TO-220AB RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
IRF520NHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
IRF520NL | 功能描述:MOSFET N-CH 100V 9.7A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
IRF520NLPBF | 功能描述:MOSFET N-CH 100V 9.7A TO-262 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |