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参数资料
| 型号： | IRF620FI |
| 厂商： | 意法半导体 |
| 英文描述： | N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistors(N沟道增强模式功率MOSFET) |
| 中文描述： | N沟道增强模式功率MOS晶体管（不适用沟道增强模式功率MOSFET的） |
| 文件页数： | 1/9页 |
| 文件大小： | 184K |
| 代理商： | IRF620FI |
IRF620
IRF620FI
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE
POWER MOS TRANSISTORS
I
TYPICAL R
DS(on)
= 0.55
I
AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY
I
100% AVALANCHE TESTED
I
REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100
o
C
APPLICATIONS
I
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING
I
UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY (UPS)
I
MOTOR CONTROL, AUDIO AMPLIFIERS
I
INDUSTRIAL ACTUATORS
I
DC-DC
&
DC-AC
TELECOM, INDUSTRIAL AND CONSUMER
ENVIRONMENT
CONVERTERS
FOR
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
1
2
3
TO-220
ISOWATT220
November 1996
TYPE
V
DSS
200 V
200 V
R
DS(on)
< 0.8
< 0.8
I
D
6 A
4 A
IRF620
IRF620FI
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
Parameter
Value
Unit
IRF620
IRF620FI
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
Drain-source Voltage (V
GS
= 0)
Drain- gate Voltage (R
GS
= 20 k
)
Gate-source Voltage
Drain Current (cont.) at T
c
= 25
o
C
Drain Current (cont.) at T
c
= 100
o
C
Drain Current (pulsed)
Total Dissipation at T
c
= 25
o
C
200
200
±
20
V
V
V
A
6
4
I
D
4
2
A
A
W
I
DM
(
)
P
tot
24
70
24
30
Derating Factor
Insulation Withstand Voltage (DC)
Storage Temperature
Max. Operating Junction Temperature
(
) Pulsewidth limited by safe operating area
0.56
0.24
2000
W/
o
C
V
o
C
o
C
V
ISO
T
stg
T
j
-65 to 150
150
1
2
3
1/9
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PDF描述 |
|---|---|
| IRF620 | N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistors(N沟道增强模式功率MOSFET) |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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