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参数资料
| 型号： | IRF620FI |
| 厂商： | 意法半导体 |
| 英文描述： | N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistors(N沟道增强模式功率MOSFET) |
| 中文描述： | N沟道增强模式功率MOS晶体管（不适用沟道增强模式功率MOSFET的） |
| 文件页数： | 2/9页 |
| 文件大小： | 184K |
| 代理商： | IRF620FI |
THERMAL DATA
TO-220
ISOWATT220
R
thj-case
Thermal Resistance Junction-case
Max
1.79
4.17
o
C/W
o
C/W
o
C/W
C
R
thj-amb
R
thc-s
T
l
Thermal Resistance Junction-ambient
Thermal Resistance Case-sink
Maximum Lead Temperature For Soldering Purpose
Max
Typ
62.5
0.5
300
AVALANCHE CHARACTERISTICS
Symbol
Parameter
Max Value
Unit
I
AR
Avalanche Current, Repetitive or Not-Repetitive
(pulse width limited by T
j
max,
δ
< 1%)
Single Pulse Avalanche Energy
(starting T
j
= 25
o
C, I
D
= I
AR
, V
DD
= 25 V)
Repetitive Avalanche Energy
(pulse width limited by T
j
max,
δ
< 1%)
Avalanche Current, Repetitive or Not-Repetitive
(T
c
= 100
C, pulse width limited by T
j
max,
δ
< 1%)
6
A
E
AS
20
mJ
E
AR
5
mJ
I
AR
4
A
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unless otherwise specified)
OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
(BR)DSS
Drain-source
Breakdown Voltage
I
D
= 250
μ
A
V
GS
= 0
200
V
I
DSS
Zero Gate Voltage
Drain Current (V
GS
= 0)
V
DS
= Max Rating
V
DS
= Max Rating x 0.8
V
GS
=
±
20 V
T
c
= 125
o
C
10
100
μ
A
μ
A
nA
I
GSS
Gate-body Leakage
Current (V
DS
= 0)
±
100
ON (
)
Symbol
Parameter
Test Conditions
I
D
= 250
μ
A
I
D
= 3 A
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage V
DS
= V
GS
2
3
4
V
R
DS(on)
Static Drain-source On
Resistance
V
GS
= 10V
0.55
0.8
I
D(on)
On State Drain Current
V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max
V
GS
= 10 V
6
A
DYNAMIC
Symbol
g
fs
(
)
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
Forward
Transconductance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer
Capacitance
V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max
I
D
= 3 A
1.5
3.5
S
C
iss
C
oss
C
rss
V
DS
= 25 V
f = 1 MHz
V
GS
= 0
460
90
20
600
120
30
pF
pF
pF
IRF620/FI
2/9
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF620 | N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistors(N沟道增强模式功率MOSFET) |
| IRF630M | N-CHANNEL 200V - 0.35W - 9A TO-220/TO-220FP MESH OVERLAY MOSFET |
| IRF630MFP | N-CHANNEL 200V - 0.35W - 9A TO-220/TO-220FP MESH OVERLAY MOSFET |
| IRF630S | N - CHANNEL 200V - 0.35ohm - 9A - D2PAK MESH OVERLAY] MOSFET |
| IRF630ST4 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-263AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| IRF620R | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-220AB |
| IRF620R4587 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
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